[发明专利]一种低温等离子体激活麻豌豆种子的方法

权利要求书

1.一种低温等离子体激活麻豌豆种子的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1)：将选取的麻豌豆种子平铺在双介质阻挡放电等离子体装置中，开启高压电源，调节放电功率，固定放电时间，对麻豌豆种子进行放电激活；

步骤2)：将激活的麻豌豆种子放置在水中浸泡；

步骤3)：将麻豌豆种子从水中取出，置于培育盆中，覆盖育苗纸，置于阴暗环境下，待出根长度达到2 -3厘米后即可见光；

步骤4)：将低温等离子体激活的种子用水浇灌进行培养，每日浇灌两次，并每日给予光照；

所述步骤1)中双介质阻挡放电等离子体装置的放电功率为935W，放电时间为1-10min；

所述步骤4)中光照采用功率为10W的红蓝光合灯，将其置于培育盆上方10cm处进行每日补光，每日光照时间为8：00-20：00；

所述步骤4)中培养的温度为25-30℃。

2.如权利要求1所述的低温等离子体激活麻豌豆种子的方法，其特征在于，所述步骤2)中培育盆的尺寸为285×205×40mm。