[发明专利]一种低温等离子体激活麻豌豆种子的方法

说明书

本发明公开了一种低温等离子体激活麻豌豆种子的方法，其特征在于，将选取的麻豌豆种子平铺在双介质阻挡放电等离子体装置中，开启高压电源，调节放电功率，固定放电时间，对麻豌豆种子进行放电激活；将激活的麻豌豆种子放置在水中浸泡；将麻豌豆种子从水中取出，置于培育盆中，覆盖育苗纸，置于阴暗环境下，待出根长度达到2‑3厘米后即可见光；将低温等离子体激活的种子用水浇灌进行培养，每日浇灌两次，并每日给予光照。本发明与现有技术相比，能够利用低温等离子体能量激活种子自身能量，使发芽率提高，植物产量增加。

技术领域

本发明涉及麻豌豆种子的预处理方法，具体而言，是利用双介质阻挡放电激活种子的方法

背景技术

我国是一个人口大国，但人均耕地面积不足。同时进入21世纪以来，由于耕地面积和粮食播种面积的大量减少、水资源短缺等诸多因素的制约，我国粮食总产量连年下降，但粮食总需求量将持续增长，我国的粮食安全已受到严重威胁，亟需寻求一种粮食增产的方法。

农作物种子的发芽率会严重影响农作物的产量，而环境温度、微生物含量、土壤性质、水体性质等都能影响种子的发芽率。现广泛应用的是使用化学药物来提高种子发芽率，这种方法会有毒物残留且危害操作人员的身体。

等离子体种子处理技术是借鉴航天育种宇宙射线对种子影响的物理原理，通过等离子体照射和交变电场激活种子的生命力，在不改变基因情况下增强种子活力，达到作物从种子萌发到成熟结果整个生育周期具有生长优势的效果。这种方法不产生化学残留且在减轻种传病害上有独特优势。

发明内容

本发明所要解决的问题：提供一种麻豌豆种子预处理的方法，此方法简单有效，成本低廉，能够缩短种子催芽时间，提高发芽率，提高出苗整齐度，显著增加豌豆苗的品质。

为了解决上述问题，本发明提供了一种低温等离子体激活麻豌豆种子的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1)：将选取的麻豌豆种子平铺在双介质阻挡放电等离子体装置中，开启高压电源，调节放电功率，固定放电时间，对麻豌豆种子进行放电激活；

步骤2)：将激活的麻豌豆种子放置在水中浸泡；

步骤3)：将麻豌豆种子从水中取出，置于培育盆中，覆盖育苗纸，置于阴暗环境下，待出根长度达到2-3厘米后即可见光；

步骤4)：将低温等离子体激活的种子用水浇灌进行培养，每日浇灌两次，并每日给予光照。

优选地，所述步骤1)中双介质阻挡放电等离子体装置的放电功率为9-35W，放电时间为1-10min。

优选地，所述步骤2)中培育盆的尺寸为285×205×40mm。

优选地，所述步骤4)中光照采用功率为10W的红蓝光合灯，将其置于培育盆上方10cm处进行每日补光，每日光照时间为8:00-20:00。

优选地，所述步骤4)中培养的温度为25-30℃。

本发明与现有技术相比，能够利用低温等离子体能量激活种子自身能量，使发芽率提高，植物产量增加。

附图说明

图1为9-35W功率下，用低温等离子体激活麻豌豆3min与未激活的麻豌豆培养后的对比图；

图2为15W功率下，用低温等离子体激活麻豌豆1-10min与未激活的麻豌豆培养后的对比图。

具体实施方式

为使本发明更明显易懂，兹以优选实施例，并配合附图作详细说明如下。

实施例1