[发明专利]半导体系统和半导体器件在审
申请号: | 201811140114.0 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN110364199A | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 蔡行善 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 许伟群;郭放 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 温度码 半导体系统 控制器 配置 接收命令 输出命令 预设操作 解码 施加 更新 | ||
1.一种半导体系统,包括:
控制器,其被配置为输出命令;以及
半导体器件,其被配置为:接收所述命令并将其解码以及产生内部命令以执行预设操作,当温度码改变时利用所述温度码来更新同步温度码,以及同步于所述内部命令将所述同步温度码施加到所述控制器。
2.根据权利要求1所述的半导体系统,其中,所述预设操作被设置为模式寄存器读取操作,以及所述内部命令被设置为模式寄存器读取命令。
3.根据权利要求1所述的半导体系统,其中,所述温度码具有与所述半导体器件的内部温度相对应的逻辑电平组合。
4.根据权利要求1所述的半导体系统,其中,所述半导体器件还被配置为:产生以所述同步温度码被更新的时段而被使能的同步更新标志,以及同步于所述内部命令将所述同步更新标志施加到所述控制器。
5.根据权利要求4所述的半导体系统,其中,所述半导体器件包括:
更新脉冲发生电路,其被配置为在所述温度码改变时产生更新脉冲。
6.根据权利要求5所述的半导体系统,其中,所述半导体器件还包括:
命令锁存信号发生电路,其被配置为响应于所述内部命令从所述温度码产生命令锁存信号;
更新锁存信号发生电路,其被配置为响应于所述更新脉冲从所述温度码产生更新锁存信号;以及
温度码输出电路,其被配置为响应于输出控制脉冲从所述命令锁存信号产生所述同步温度码。
7.根据权利要求6所述的半导体系统,其中,所述命令锁存信号发生电路在所述内部命令产生时锁存所述温度码,并且将锁存的所述温度码输出为所述命令锁存信号。
8.根据权利要求6所述的半导体系统,其中,所述更新锁存信号发生电路在所述更新脉冲产生时锁存所述温度码,并且将锁存的所述温度码输出为所述更新锁存信号。
9.根据权利要求6所述的半导体系统,其中,当所述输出控制脉冲产生时,所述温度码输出电路将所述命令锁存信号输出为所述同步温度码。
10.根据权利要求6所述的半导体系统,其中,所述半导体器件还包括:
输出控制脉冲发生电路,其被配置为基于所述命令锁存信号与所述更新锁存信号之间的比较来产生所述输出控制脉冲。
11.根据权利要求10所述的半导体系统,其中,当所述命令锁存信号与所述更新锁存信号相同时,所述输出控制脉冲发生电路产生所述输出控制脉冲。
12.根据权利要求6所述的半导体系统,其中,所述半导体器件还包括:
更新标志发生电路,其被配置为响应于所述更新脉冲、所述同步温度码和所述温度码来产生更新标志。
13.根据权利要求12所述的半导体系统,其中,所述更新标志发生电路产生在所述更新脉冲产生时被使能的所述更新标志,以及产生在所述同步温度码与所述温度码相同时被禁止的所述更新标志。
14.根据权利要求12所述的半导体系统,其中,所述半导体器件还包括:
更新标志同步电路,其被配置为当所述内部命令产生时将所述更新标志输出为所述同步更新标志。
15.一种半导体系统,包括:
控制器;
半导体器件,其被配置为:当温度码改变时利用所述温度码来更新同步温度码,以及同步于内部命令将所述同步温度码施加到所述控制器;以及
温度传感器,其被配置为产生与所述半导体器件周围区域的温度相对应的所述温度码。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811140114.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:编码型快闪存储器及其制造方法
- 下一篇:半导体器件