[发明专利]半导体系统和半导体器件在审
申请号: | 201811140114.0 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN110364199A | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 蔡行善 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 许伟群;郭放 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 温度码 半导体系统 控制器 配置 接收命令 输出命令 预设操作 解码 施加 更新 | ||
本发明提供一种半导体系统和半导体器件。半导体系统可以包括控制器和半导体器件。控制器可以被配置为输出命令。半导体器件可以被配置为接收命令并将其解码以及产生内部命令以执行预设操作。半导体器件可被配置为当温度码改变时利用温度码来更新同步温度码。半导体器件可以被配置为同步于内部命令将同步温度码施加到控制器。
相关申请的交叉引用
本申请要求2018年4月10日向韩国知识产权局提交的第10-2018-0041459号韩国专利申请的优先权,其公开内容通过引用整体合并于此。
技术领域
本公开的实施例总体而言涉及一种半导体系统,并且更具体地,涉及一种包括与温度码的输出有关的半导体器件的半导体系统。
背景技术
诸如DRAM的半导体器件使用TCSR(温度补偿自刷新)电路来降低电流消耗。TCSR电路是根据自刷新时的温度来改变自刷新周期从而减少电流消耗的电路。也就是说,利用DRAM的数据保持时间,TCSR电路在温度高时通过缩短自刷新周期来增加电流消耗,并且在温度低时通过延长自刷新周期来减少电流消耗。
在TCSR电路之中的数字TCSR电路中,数字温度计安装在半导体器件中,并且通过将从数字温度计产生的温度码编码来确定自刷新周期。数字温度计的性能由输出的温度码与半导体器件的内部温度匹配的程度来确定。
发明内容
在一个实施例中,一种半导体系统可以包括控制器和半导体器件。所述控制器可以被配置为输出命令。所述半导体器件可以被配置为接收所述命令并将其解码以及产生内部命令以执行预设操作。所述半导体器件可以被配置为当温度码改变时利用所述温度码来更新同步温度码。所述半导体器件可以被配置为同步于所述内部命令将所述同步温度码施加到所述控制器。
在一个实施例中,一种半导体系统可以包括控制器、半导体器件和温度传感器。所述半导体器件可以被配置为当温度码改变时利用所述温度码来更新同步温度码。所述半导体器件可以被配置为同步于内部命令将所述同步温度码施加到所述控制器。所述温度传感器可以被配置为产生与所述半导体器件周围区域的温度相对应的所述温度码。
在一个实施例中,一种半导体器件可以包括更新脉冲发生电路、命令锁存信号发生电路、更新锁存信号发生电路和温度码输出电路。所述更新脉冲发生电路可以被配置为当温度码改变时产生更新脉冲。所述命令锁存信号发生电路可以被配置为响应于内部命令从所述温度码产生命令锁存信号。所述更新锁存信号发生电路可以被配置为响应于所述更新脉冲从所述温度码产生更新锁存信号。所述温度码输出电路可以被配置为响应于输出控制脉冲从所述命令锁存信号产生同步温度码。
附图说明
图1是示出根据一个实施例的半导体系统的配置的示例的框图。
图2是示出根据一个实施例的在图1所示的半导体系统中包括的温度码同步电路的配置的示例的框图。
图3是示出根据一个实施例的在图2所示的温度码同步电路中包括的更新脉冲发生电路的示例的电路图。
图4是示出在图2所示的温度码同步电路中包括的命令锁存信号发生电路的示例的电路图。
图5是示出根据一个实施例的在图2所示的温度码同步电路中包括的更新锁存信号发生电路的示例的电路图。
图6是示出根据一个实施例的在图2所示的温度码同步电路中包括的输出控制脉冲发生电路的示例的电路图。
图7是示出根据一个实施例的在图2所示的温度码同步电路中包括的温度码输出电路的示例的电路图。
图8是示出根据一个实施例的在图2所示的温度码同步电路中包括的更新标志发生电路的示例的电路图。
图9是示出根据一个实施例的在图2所示的温度码同步电路中包括的更新标志同步电路的示例的电路图。
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