[发明专利]扩散阻障结构、导电迭层及其制法

权利要求书

1.一种扩散阻障结构，其特征在于，其用以形成于一基板以及一导电层之间，所述扩散阻障结构包括：

一非连续改质层，其设置于所述基板上，所述非连续改质层的材料是一具有亲水基的高分子；以及

一阻障层，其设置于所述基板和所述非连续改质层上，所述阻障层的材料至少包括一自修复高分子。

2.如权利要求1所述的扩散阻障结构，其特征在于，所述自修复高分子是选自由聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸、聚乙二醇及其任意组合所构成的群组。

3.如权利要求1所述的扩散阻障结构，其特征在于，所述具有亲水基的高分子是具有胺基的硅烷。

4.如权利要求3所述的扩散阻障结构，其特征在于，所述具有胺基的硅烷是选自由3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-(3-(三甲氧基硅基)丙基)乙二胺、3-2-(2-氨基乙基氨基)乙基氨基丙基三甲氧基硅烷及其任意组合所构成的群组。

5.如权利要求1所述的扩散阻障结构，其特征在于，所述阻障层的材料还包括一触媒材料。

6.如权利要求5所述的扩散阻障结构，其特征在于，所述触媒材料为纳米金属粒子。

7.如权利要求5所述的扩散阻障结构，其特征在于，所述阻障层中的所述自修复高分子和所述触媒材料的重量比例为0.175：1至2：1。

8.如权利要求5所述的扩散阻障结构，其特征在于，所述阻障层中的所述自修复高分子包覆所述触媒材料。

9.如权利要求1所述的扩散阻障结构，其特征在于，所述扩散阻障结构的总厚度小于5纳米。

10.一种导电迭层，其特征在于，包括：

一基板，其具有一表面；

一扩散阻障结构，其设置于所述基板上，所述扩散阻障结构包括一非连续改质层和一阻障层，所述非连续改质层设置于所述基板的所述表面，所述非连续改质层的材料是一具有亲水基的高分子，所述阻障层形成于所述基板的所述表面和所述非连续改质层上，所述阻障层的材料至少包括一自修复高分子；以及

一导电层，其设置于所述基板上，其中，所述导电层通过所述扩散阻障结构与所述基板隔离。

11.如权利要求10所述的导电迭层，其特征在于，所述阻障层的材料还包括一触媒材料，且所述导电层和所述扩散阻障结构间的附着力为6百万帕至15百万帕。

12.一种导电迭层的制法，其特征在于，包括：

提供一基板，所述基板具有一表面；

对所述基板的所述表面进行表面改质处理，以在所述表面上形成一非连续改质层；

形成一阻障层于所述表面以及所述非连续改质层上；以及

形成一导电层于所述阻障层背对所述基板的面上；

其中，所述非连续改质层的材料包括一具有亲水基的高分子，所述阻障层的材料包括一自修复高分子。

13.如权利要求12所述的导电迭层的制法，其特征在于，所述自修复高分子是选自由聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸、聚乙二醇及其任意组合所构成的群组。

14.如权利要求12所述的导电迭层的制法，其特征在于，所述表面改质处理是将所述基板浸泡于一改质溶液，所述改质溶液包括所述具有亲水基的高分子。

15.如权利要求14所述的导电迭层的制法，其特征在于，所述改质溶液中所述具有亲水基的高分子的含量为0.1体积百分浓度至5体积百分浓度。