[发明专利]封装堆叠结构及其制法暨封装结构在审
申请号: | 201811140146.0 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN110797293A | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 林长甫;陈汉宏;萧人杰;林荣政;余国华;张宏达 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L23/488;H01L23/498 |
代理公司: | 11314 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台湾台中*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 线路结构 承载结构 承载件 导电元件 封装层 封装堆叠结构 封装结构 包覆 堆叠 翘曲 移除 制法 配置 | ||
1.一种封装堆叠结构,其特征在于,该封装堆叠结构包括:
承载结构,其定义有相对的第一侧与第二侧,其中,该承载结构的第一侧设有至少一电子元件;以及
线路结构,其具有相对的第一表面与第二表面,且该第一表面设有承载件,而该第二表面以多个导电元件结合至该承载结构的第一侧上。
2.根据权利要求1所述的封装堆叠结构,其特征在于,该承载件为硅晶圆,其接触结合该线路结构的介电材。
3.根据权利要求1所述的封装堆叠结构,其特征在于,该线路结构为线路重布层结构。
4.根据权利要求1所述的封装堆叠结构,其特征在于,该线路结构的第二表面配置有多个堆叠接点,以结合该些导电元件。
5.根据权利要求1所述的封装堆叠结构,其特征在于,该承载件为玻璃,其以结合层接触结合该线路结构的介电材。
6.根据权利要求1所述的封装堆叠结构,其特征在于,该封装堆叠结构还包括封装层,其形成于该线路结构与该承载结构之间,以包覆该些导电元件与该电子元件。
7.根据权利要求1所述的封装堆叠结构,其特征在于,该导电元件为焊球、金属柱或包覆有绝缘块的金属凸块。
8.一种封装堆叠结构的制法,其特征在于,该制法包括:
提供一设有承载件的线路结构及一承载结构,其中,该承载结构定义有相对的第一侧与第二侧,且该承载结构的第一侧设有至少一电子元件;
将该线路结构以多个导电元件结合至该承载结构的第一侧上,且形成封装层于该线路结构与该承载结构之间,以令该封装层包覆该些导电元件与该电子元件;以及
移除该承载件。
9.根据权利要求8所述的封装堆叠结构的制法,其特征在于,该些导电元件先设于该线路结构上,再将该线路结构以该些导电元件结合至该承载结构上。
10.根据权利要求8所述的封装堆叠结构的制法,其特征在于,该些导电元件先设于该承载结构上,再将该线路结构以该些导电元件结合至该承载结构上。
11.根据权利要求8所述的封装堆叠结构的制法,其特征在于,该承载件为硅晶圆,其接触结合该线路结构的介电材。
12.根据权利要求11所述的封装堆叠结构的制法,其特征在于,该承载件的移除以研磨方式为之。
13.根据权利要求8所述的封装堆叠结构的制法,其特征在于,该线路结构为线路重布层结构。
14.根据权利要求8所述的封装堆叠结构的制法,其特征在于,该线路结构具有相对的第一表面与第二表面,且该第一表面结合于该承载件上,而该第二表面配置有多个堆叠接点,以结合该些导电元件。
15.根据权利要求8所述的封装堆叠结构的制法,其特征在于,该承载件为玻璃,其以结合层接触结合该线路结构的介电材。
16.根据权利要求15所述的封装堆叠结构的制法,其特征在于,其以剥离方式移除该承载件及该结合层。
17.根据权利要求16所述的封装堆叠结构的制法,其特征在于,该线路结构于结合该承载结构前为已切单型态,且于移除该承载件前,进行半切。
18.根据权利要求8所述的封装堆叠结构的制法,其特征在于,该导电元件为焊球、金属柱或包覆有绝缘块的金属凸块。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造