[发明专利]制备非晶硅薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备非晶硅薄膜的方法，包括：

将基底放入反应腔室内，所述基底表面存在Si-H键；

向所述反应腔室通入第一气体，对所述基底进行等离子体处理，以使所述Si-H键断裂；

向所述反应腔室内通入硅源气体，采用等离子体增强化学气相沉积工艺，以第一沉积速率在所述基底上沉积第一非晶硅层，所述第一沉积速率为0.5～2nm/s，所述第一非晶硅层的厚度为5～50nm，以使所述基底与所述第一非晶硅层之间的界面处产生的H₂通过所述第一非晶硅层逸散出来；在所述第一非晶硅层上以第二沉积速率沉积第二非晶硅层，其中，所述第一沉积速率低于所述第二沉积速率，所述第二沉积速率为4～10nm/s，其中所述第二非晶硅层的厚度为550～600nm，以生成非晶硅薄膜，所述非晶硅薄膜用作图案化中的硬掩膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底为SiO₂、SiN、SiCN或SiC。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一气体为NH₃、N₂O、N₂或O₂。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一气体的流量为200-2000sccm。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体处理的时间为15～20s。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅源气体为硅烷(SiH₄)。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述硅源气体的流量为100-1000sccm。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中在沉积所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层时，反应腔室内的压力为5～20Torr，温度为300-600℃。