[发明专利]多层印刷电路板及其制备方法

说明书

本公开是关于一种多层印刷电路板及其制备方法。该多层印刷电路板包括叠层设置的第一印刷电路板和第二印刷电路板，以及位于二者之间且用于连接二者的硅通孔转接结构；所述硅通孔转接结构包括：第一硅通孔转接结构，环绕在所述第一印刷电路板和所述第二印刷电路板的边缘区域；第二硅通孔转接结构，分布在所述第一印刷电路板和所述第二印刷电路板的内部区域；其中，所述内部区域包括多个电路模块，所述第二硅通孔转接结构设置在该多个电路模块之间的间隙位置。本公开可避免不同电路模块之间的相互干扰，同时还能提高印刷电路板的结构强度以及电路设计的灵活性。

技术领域

本公开涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种多层印刷电路板及其制备方法。

背景技术

随着手机集成度的不断提高，设计者在减小手机尺寸的同时，还要追求更大的电池空间和更小的主板面积，其中控制PCB(Printed Circuit Board，印刷电路板)的占用面积就成为了手机设计的关键因素之一。

硅通孔转接技术(Though-Silicon-Via Interposer，TSV Interposer)作为三维封装技术的主流分支，已经成功的应用于手机内部的PCB结构中。基于此，在不同的PCB板之间通过硅通孔(Though-Silicon-Via，TSV)构成转接结构，即可实现不同PCB板之间的机械连接和电连接。但是，现有的TSV转接结构存在信号干扰的问题，因此会影响手机的性能以及用户的体验。

发明内容

为克服相关技术中存在的问题，本公开实施例提供一种多层印刷电路板及其制备方法。所述技术方案如下：

根据本公开实施例的第一方面，提供一种多层印刷电路板，包括叠层设置的第一印刷电路板和第二印刷电路板，以及位于二者之间且用于连接二者的硅通孔转接结构；

所述硅通孔转接结构包括：

第一硅通孔转接结构，环绕在所述第一印刷电路板和所述第二印刷电路板的边缘区域；

第二硅通孔转接结构，分布在所述第一印刷电路板和所述第二印刷电路板的内部区域；

其中，所述内部区域包括多个电路模块，所述第二硅通孔转接结构设置在该多个电路模块之间的间隙位置。

在一个实施例中，所述电路模块包括位于所述第一印刷电路板上的多个第一电路模块以及位于所述第二印刷电路板上的多个第二电路模块；

所述多个第一电路模块之间设有第一间隙，所述多个第二电路模块之间设有第二间隙，且所述第一间隙与所述第二间隙具有重叠区域，所述第二硅通孔转接结构沿着所述重叠区域分布。

在一个实施例中，所述第一硅通孔转接结构包括并排设置的多个第一子硅通孔转接结构。

在一个实施例中，所述第二硅通孔转接结构包括并排设置的多个第二子硅通孔转接结构。

在一个实施例中，所述第一硅通孔转接结构在所述第一印刷电路板上的投影图像轮廓包括规则图形或者非规则图形，所述第二硅通孔转接结构在所述第一印刷电路板上的投影图像轮廓包括一条或多条线段。

根据本公开实施例的第二方面，提供一种多层印刷电路板的制备方法，包括：

将第一印刷电路板和第二印刷电路板叠层设置，所述第一印刷电路板和所述第二印刷电路板包括多个电路模块，各个电路模块之间设有间隙；

在所述第一印刷电路板和所述第二印刷电路板的边缘区域环绕设置第一硅通孔转接结构；

在所述第一印刷电路板和所述第二印刷电路板的内部区域沿着所述多个电路模块之间的间隙位置设置第二硅通孔转接结构。

在一个实施例中，所述在所述第一印刷电路板和所述第二印刷电路板的内部区域沿着所述多个电路模块之间的间隙位置设置第二硅通孔转接结构包括：