[发明专利]具有高沉积环及沉积环夹具的处理配件

权利要求书

1.一种处理配件，包括：

沉积环，所述沉积环被配置而设置在基板支撑件上，所述基板支撑件被设计为用于支撑具有给定宽度的基板，所述沉积环包含：

环形带，所述环形带被配置而搁置在所述基板支撑件的下突出部分上；

内唇，所述内唇从所述环形带的内缘向上延伸，其中所述内唇的内表面与所述环形带的内表面一起形成中央开口，所述中央开口的宽度小于所述给定宽度，其中所述环形带的上表面与所述内唇的上表面之间的深度是介于约24mm与约38mm之间，并且其中所述环形带的厚度从所述环形带的外缘到所述环形带的內缘保持恒定或不断增大；

通道，所述通道设置在所述环形带的径向外侧；及

外唇，所述外唇向上延伸且设置在所述通道的径向外侧。

2.如权利要求1所述的处理配件，进一步包括：

单件式处理配件屏蔽件，所述单件式处理配件屏蔽件具有圆筒形主体和盖环部，所述圆筒形主体具有上部分和下部分，所述盖环部从所述下部分径向向内延伸，

其中所述盖环部包括凸部和凹槽，所述凸部延伸至所述沉积环的所述通道中，所述外唇延伸至所述凹槽中，以在所述盖环部与所述沉积环之间界定曲流路径。

3.如权利要求1所述的处理配件，其中所述深度为介于约28mm与约38mm之间。

4.如权利要求1所述的处理配件，其中所述深度为介于约30mm至约38mm之间。

5.如权利要求1至4中的任一项所述的处理配件，进一步包括：

夹持组件，所述夹持组件包括底板和两个或更多个夹具，所述底板与所述基板支撑件耦接，所述两个或更多个夹具从所述底板向上延伸而与所述沉积环接合以防止所述沉积环的垂直运动。

6.如权利要求5所述的处理配件，其中所述两个或更多个夹具的每一个包括臂和向下突出的唇部，所述臂径向向内延伸，所述向下突出的唇部从所述臂延伸至所述沉积环的所述通道中。

7.一种处理腔室，包括：

腔室壁，所述腔室壁界定所述处理腔室中的内部空间；

溅射靶，所述溅射靶设置在所述内部空间的上部中；

基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述内部空间中与所述溅射靶相对；及

如权利要求2至4中的任一项所述的处理配件，其中所述沉积环设置在所述基板支撑件上，并且其中所述单件式处理配件屏蔽件的配接器部由所述腔室壁支撑。

8.如权利要求7所述的处理腔室，进一步包括：

夹持组件，所述夹持组件包括底板和两个或更多个夹具，所述底板与所述基板支撑件耦接，所述两个或更多个夹具从所述底板向上延伸而与所述沉积环接合以防止所述沉积环的垂直运动。

9.如权利要求8所述的处理腔室，其中所述两个或更多个夹具的每一个包括臂和向下突出的唇部，所述臂径向向内延伸，所述向下突出的唇部从所述臂延伸至所述沉积环的所述通道中。

10.如权利要求7所述的处理腔室，进一步包括：

传热介质源，所述传热介质源与所述处理配件流体耦接。

11.如权利要求1所述的处理配件，其中所述深度为介于约28mm与约38mm之间，且所述处理配件进一步包括：

单件式处理配件屏蔽件，所述单件式处理配件屏蔽件具有圆筒形主体和盖环部，所述圆筒形主体具有上部分和下部分，所述盖环部从所述下部分径向向内延伸，其中所述盖环部包括凸部和凹槽，所述凸部延伸至所述沉积环的所述通道中，所述外唇延伸至所述凹槽中，以在所述盖环部与所述沉积环之间界定曲流路径；和

夹持组件，所述夹持组件具有底板和两个或更多个夹具，所述底板与所述基板支撑件耦接，所述两个或更多个夹具从所述底板向上延伸而与所述沉积环接合以防止所述沉积环的垂直运动。