[发明专利]单件式处理配件屏蔽件

权利要求书

1.一种单件式处理配件屏蔽件，包括：

圆柱形主体，所述圆柱形主体具有上部和下部，所述上部包括适配器区段，所述适配器区段径向向外延伸并具有安置表面和密封表面，所述安置表面用以将所述单件式处理配件屏蔽件支撑在腔室的壁上，当所述单件式处理配件屏蔽件被放置在所述腔室中时，腔室盖安置在所述密封表面上，以密封所述腔室的内侧容积；

热传递通道，所述热传递通道延伸通过所述上部的所述适配器区段；和

盖环区段，所述盖环区段从所述下部向下且径向向内延伸，其中穿过所述圆柱形主体和所述盖环区段设置的开口限定所述单件式处理配件屏蔽件的面向处理容积的表面，所述面向处理容积的表面具有直径，并且其中在对应于所述适配器区段的所述面向处理容积的表面处的所述直径小于所述安置表面的内径。

2.如权利要求1所述的单件式处理配件屏蔽件，其中所述盖环区段包括内周边，所述内周边包括凸出缘。

3.如权利要求1所述的单件式处理配件屏蔽件，其中所述盖环区段的底表面经配置以与沉积环接口连接。

4.如权利要求1至3中任一项所述的单件式处理配件屏蔽件，进一步包括：

湍流产生器件，所述湍流产生器件设置在所述热传递通道内。

5.如权利要求4所述的单件式处理配件屏蔽件，其中所述湍流产生器件包括：

螺旋形的主体，所述螺旋形的主体用以引发在热传递介质的流动中的湍流；和

底座，所述底座经配置以与所述热传递通道的壁啮合，以当所述热传递介质流动经过所述湍流产生器件时，防止所述湍流产生器件移动。

6.如权利要求1至3中任一项所述的单件式处理配件屏蔽件，其中所述单件式处理配件屏蔽件由铝形成。

7.如权利要求1至3中任一项所述的单件式处理配件屏蔽件，其中所述单件式处理配件屏蔽件由不锈钢形成。

8.一种处理腔室，包括：

腔室壁，所述腔室壁界定所述处理腔室内的内部容积；

溅射靶材，所述溅射靶材设置在所述内部容积的上区段中；

基板支撑件，所述基板支撑件具有支撑表面，以将基板支撑于所述溅射靶材的下方；和

单件式处理配件屏蔽件，所述单件式处理配件屏蔽件围绕所述溅射靶材和所述基板支撑件，所述单件式处理配件屏蔽件包括：

圆柱形主体，所述圆柱形主体具有上部和下部，所述上部包括适配器区段，所述适配器区段径向向外延伸并具有安置表面和密封表面，所述安置表面用以将所述单件式处理配件屏蔽件支撑在腔室的壁上，当所述单件式处理配件屏蔽件被放置在所述腔室中时，腔室盖安置在所述密封表面上，以密封所述腔室的内侧容积；

热传递通道，所述热传递通道延伸通过所述上部的所述适配器区段；和

盖环区段，所述盖环区段从所述下部向下且径向向内延伸，其中穿过所述圆柱形主体和所述盖环区段设置的开口限定所述单件式处理配件屏蔽件的面向处理容积的表面，所述面向处理容积的表面具有直径，并且其中在对应于所述适配器区段的所述面向处理容积的表面处的所述直径小于所述安置表面的内径。

9.如权利要求8所述的处理腔室，其中所述密封表面包括O形环沟槽，用以接收O形环，以在所述适配器区段和所述腔室盖之间形成真空密封。

10.如权利要求8所述的处理腔室，其中所述适配器区段的第一部分被设置在所述内部容积内，且所述适配器区段的第二部分被设置在所述内部容积的外侧。

11.如权利要求8至10中任一项所述的处理腔室，其中所述单件式处理配件屏蔽件进一步包括：

湍流产生器件，所述湍流产生器件设置在所述热传递通道内。

12.如权利要求11所述的处理腔室，进一步包括：

热传递介质供应器，所述热传递介质供应器耦接至所述热传递通道，以供应热传递介质至所述热传递通道。