[发明专利]单件式处理配件屏蔽件

说明书

在此提供处理配件屏蔽件和含有处理配件屏蔽件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，单件式处理配件屏蔽件包括：圆柱形主体，所述圆柱形主体具有上部和下部；热传递通道，所述热传递通道延伸通过上部；和盖环区段，所述盖环区段从下部径向向内延伸。

本申请是申请日为2015年12月8日、申请号为201580070339.1、发明名称为“单件式处理配件屏蔽件”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本公开内容的实施方式大体关于基板处理配备。

背景技术

处理配件屏蔽件可被用在例如物理气相沉积(PVD)腔室中，以分离处理容积和非处理容积。在配置以在基板上沉积铝的PVD腔室中，处理配件屏蔽件可例如由不锈钢(SST)所制成。当在处理期间沉积在处理配件屏蔽件上的铝层可被优先地从基底的SST屏蔽材料蚀刻去除时，SST处理配件屏蔽件可被再循环多次。然而，发明人已经持续研究，与传统铝沉积处理相比，使用显著增加的处理功率和沉积时间而在基板上沉积相对厚的铝膜。

对于较厚的铝沉积处理而言，发明人已经观察到处理配件屏蔽件的温度升高到足以非期望的导致在基板上的晶须生长。发明人认为当围绕基板的处理配件不具有足够的时间以在后续的处理之间冷却时，晶须形成。沉积处理加热基板显著地多于经加热的基板支撑件。因为基板被静电地夹持至底座，晶片不会因在厚铝膜和基板(例如，硅)之间的热膨胀系数(CTE)的不匹配所导致的热应力而自由地弯曲。当基板上的膜应力变得足够高时，晶须从膜蹦出，以减少膜应力。发明人已经进一步观察到在围绕基板的结构中的高温也不利地影响沉积在基板上的铝膜的反射率。盖环和屏蔽件的温度在经由热辐射冷却基板时，和在最小化晶须形成时，起到重要的作用。

而且，当处理配件遭遇来自等离子体加热的热循环和当等离子体被关闭的后续冷却时，沉积在处理配件上的薄膜经受由薄膜和下方的部件材料之间的热膨胀系数的不匹配所导致的热应力。当那应力超过黏着的限制时，颗粒从处理配件剥落并落到基板上。

因此，发明人已经提供如在此所公开的改良的处理配件屏蔽件的实施方式。

发明内容

在此提供处理配件屏蔽件和含有处理配件屏蔽件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，单件式处理配件屏蔽件包括：圆柱形主体，所述圆柱形主体具有上部和下部；热传递通道，所述热传递通道延伸通过上部；和盖环区段，所述盖环区段从下部径向向内延伸。

在一些实施方式中，单件式处理配件屏蔽件包括：圆柱形主体，所述圆柱形主体具有上部和下部；适配器区段，所述适配器区段从上部径向向外延伸并具有安置表面和密封表面，安置表面用以将单件式屏蔽件支撑在腔室的多个壁上，当单件式屏蔽件被放置在腔室中时，腔室盖安置在密封表面上，以密封腔室的内侧容积；热传递通道，所述热传递通道延伸通过适配器区段；盖环区段，所述盖环区段从下部径向向内延伸；和湍流(turbulence)产生器件，所述湍流产生器件设置于热传递通道内。

在一些实施方式中，处理腔室包括：腔室壁，所述腔室壁界定处理腔室内的内部容积；溅射靶材，所述溅射靶材设置在内部容积的上区段；基板支撑件，所述基板支撑件具有支撑表面，以在溅射靶材的下方支撑基板；单件式处理配件屏蔽件，所述单件式处理配件屏蔽件围绕溅射靶材和基板支撑件。单件式处理配件屏蔽件包括：圆柱形主体，所述圆柱形主体具有围绕溅射靶材的上部和围绕基板支撑件的下部；热传递通道，所述热传递通道延伸通过上部；和盖环区段，所述盖环区段从下部径向向内延伸并围绕基板支撑件。

本公开内容的其它和进一步的实施方式说明于下。

附图说明

可参考附图中描绘的本公开内容的例示性的实施方式来理解本公开内容的以上简要概述并以下更详细描述的实施方式。然而，附图仅示出了本公开内容的典型实施方式，并且因此将不被视为对本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可允许其它等效实施方式。

图1描绘了根据本公开内容的一些实施方式的处理腔室的示意性截面图。