[发明专利]包括设置在两个基底之间的半导体芯片和引线框的半导体芯片封装件

权利要求书

1.一种半导体芯片封装件，包括：

-第一基底，包括绝缘层、设置在所述绝缘层的第一上主面上的第一金属层、以及设置在所述绝缘层的第二下主面上的第二金属层；

-第一半导体芯片，包括第一上主面和第二下主面、设置在第一主面上的第一接触焊盘、以及设置在第二主面上的第二接触焊盘，其中所述第一半导体芯片设置在所述第一基底的第一金属层上，其中所述第二接触焊盘与所述第一金属层电连接；

-第一导电间隔物层，设置在所述第一半导体芯片的第一上主面上，其中所述第一接触焊盘与所述第一间隔物层电连接；

-第二基底，包括绝缘层、设置在所述绝缘层的第一上主面上的第一金属层、以及设置在所述绝缘层的第二下主面上的第二金属层，其中所述第二基底设置在所述第一间隔物层上，其中所述第二金属层与所述第一间隔物层电连接；

-引线框，包括第一引线和第二引线，其中所述第一引线和所述第二引线设置在所述封装件的相对侧上，并且所述第一引线和所述第二引线中的每个引线包括上表面和下表面，其中所述上表面与所述第二基底的第二金属层连接，并且所述下表面与所述第一基底的第一金属层连接；以及

-包封剂，被施加到所述第一基底和所述第二基底、所述第一半导体芯片、所述第一间隔物层以及所述引线框。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片封装件，其中，

所述第一引线的上表面和所述第二引线的上表面与所述第二基底的第二金属层以如下方式中的一种或多种连接：刚性地连接、形状配合地连接或直接地连接，并且所述第一引线的下表面和所述第二引线的下表面与所述第一基底的第一金属层以如下方式中的一种或多种连接：刚性地连接、形状配合地连接或直接地连接。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片封装件，还包括：

第二半导体芯片，其中所述第一半导体芯片是半导体晶体管芯片并且所述第二半导体芯片是半导体二极管芯片，其中所述半导体二极管芯片并联连接到所述半导体晶体管芯片。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片封装件，还包括：

第二半导体芯片，包括第一上主面和第二下主面、设置在第一主面上的第一接触焊盘、以及设置在第二主面上的第二接触焊盘，其中，

所述第二半导体芯片设置在所述第一基底的第一金属层上，其中所述第二接触焊盘与所述第一金属层电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体芯片封装件，还包括：

第二半导体芯片，设置在所述第一基底上；以及

第二导电间隔物层，设置在所述第二半导体芯片上，其中所述第二基底设置在所述第二间隔物层上。

6.根据权利要求1所述的半导体芯片封装件，还包括：

第二半导体芯片、第三半导体芯片和第四半导体芯片；其中

所述第二半导体芯片并联连接到所述第一半导体芯片，并且所述第四半导体芯片并联连接到所述第三半导体芯片。

7.根据权利要求1所述的半导体芯片封装件，还包括：

第三接触焊盘，设置在所述第一半导体芯片的第一主面上；以及

焊球，设置在所述第三接触焊盘上，其中所述焊球与所述第二基底的第二金属层连接。

8.根据权利要求1所述的半导体芯片封装件，还包括：

第三接触焊盘，设置在所述第一半导体芯片的第一主面上；其中，

所述第一半导体芯片是半导体晶体管芯片，所述第一接触焊盘是发射极接触焊盘，所述第二接触焊盘是集电极接触焊盘，并且所述第三接触焊盘是栅极接触焊盘；其中，

所述发射极接触焊盘与所述第一引线电连接，并且所述栅极接触焊盘与所述第二引线电连接。

9.根据权利要求1所述的半导体芯片封装件，其中，

所述第二基底的第二金属层是结构化层，所述结构化层包括与所述引线框的第一引线或第二引线连接的金属线。