[发明专利]包括设置在两个基底之间的半导体芯片和引线框的半导体芯片封装件

说明书

本公开的实施例涉及包括设置在两个基底之间的半导体芯片和引线框的半导体芯片封装件。一种半导体芯片封装件，包括：第一基底，包括绝缘层、第一金属层和第二金属层；第一半导体芯片，设置在第一基底的第一金属层上；第一导电间隔物层，设置在第一半导体芯片上；第二基底，包括绝缘层、第一金属层和第二金属层，其中第二基底设置在第一间隔物层上；引线框，包括第一引线和第二引线，其中第一引线和第二引线中的每个引线包括上表面和下表面，其中上表面与第二基底的第二金属层连接，并且下表面与第一基底的第一金属层连接；以及包封剂，被施加到第一基底和第二基底、第一半导体芯片、第一间隔物层和引线框。

技术领域

本公开涉及半导体芯片封装件、电子模块和用于制造半导体芯片封装件的方法。

背景技术

在很多电子系统中，需要采用诸如DC/DC转换器、AC/DC转换器或DC/AC转换器之类的转换器，以便生成要由电子电路使用的电流和电压。降压转换器通常包括一个或多个半桥电路，每个半桥电路由两个半导体功率开关(诸如功率MOSFET器件)以及其他部件(诸如二极管、电感器和电容器)提供。这些类型的半导体芯片封装件的进一步发展的一个重要方面是进一步改善封装件的紧凑性，目的是实现高效的散热。

发明内容

根据本发明的第一方面，一种半导体封装件包括：

-第一基底，包括绝缘层、设置在绝缘层的第一上主面上的第一金属层、和设置在绝缘层的第二下主面上的第二金属层；

-第一半导体芯片，包括第一上主面和第二下主面、设置在第一主面上的第一接触焊盘、和设置在第二主面上的第二接触焊盘，其中第一半导体芯片设置在第一基底的第一金属层上，其中第二接触焊盘与第一金属层电连接；

-第一导电间隔物层，设置在第一半导体芯片的第一上主面上，其中第一接触焊盘与第一间隔物层电连接；

-第二基底，包括绝缘层、设置在绝缘层的第一上主面上的第一金属层、和设置在绝缘层的第二下主面上的第二金属层，其中第二基底设置在第一间隔物层上，其中第二金属层与第一间隔物层电连接；

-引线框，包括第一引线和第二引线，其中第一引线和第二引线设置在封装件的相对侧上，并且第一引线和第二引线中的每个引线包括上表面和下表面，其中上表面与第二基底的第二金属层连接，并且下表面与第一基底的第一金属层连接；以及

-包封剂，被施加到第一基底和第二基底、第一半导体芯片、第一间隔物层和引线框。

根据本公开的第二方面，一种用于制造半导体芯片封装件的方法，包括：

提供第一基底，第一基底包括绝缘层、设置在绝缘层的第一上主面上的第一金属层、和设置在绝缘层的第二下主面上的第二金属层；

提供第一半导体芯片，第一半导体芯片具有第一上主面和第二下主面、设置在第一主面上的第一接触焊盘、和设置在第二主面上的第二接触焊盘；

将第一半导体芯片设置在第一基底的第一金属层上；

提供第一导电间隔物层；

将第一间隔物层设置在第一半导体芯片的第一上主面上，使得第一接触焊盘与第一间隔物层电连接；

提供第二基底，第二基底包括绝缘层、设置在绝缘层的第一主面上的第一金属层、和设置在绝缘层的第二下主面上的第二金属层；

将第二基底设置在第一间隔物层上；

提供引线框，引线框包括以彼此相对的关系设置的第一引线和第二引线，第一引线和第二引线中的每个引线包括上表面和下表面；

通过将第一引线的上表面和第二引线的上表面与第二基底的第二金属层连接并且将第一引线的下表面和第二引线的下表面与第一基底的第一金属层连接，将引线框连接到基底；以及