[发明专利]低成本高性能开关管驱动电路

说明书

本发明公开了一种低成本高性能开关管驱动电路，包括共基极推挽对管和共门极推挽对管，所述共基极推挽对管的共基极与信号源的信号输出端电性连接，用于在所述信号源的作用下输出第一驱动信号；所述共门极推挽对管的共门极与所述共基极推挽对管的输出端电性连接，共门极推挽对管的输出端与被驱动晶体管的受控端连接，用于在所述第一驱动信号的作用下输出第二驱动信号，对所述被驱动晶体管进行导通或截止的驱动。本发明的低成本高性能开关管驱动电路，具有成本低、高电平输出时电压接近电源电压、低电平输出时电压接近地电压、推拉电流大的特点，且驱动电路的交叉电流极少，使得开关管驱动电路的功耗较小，可靠性高。

技术领域

本发明涉及电源技术领域，尤其涉及一种低成本高性能开关管驱动电路。

背景技术

电力电子技术中采用开关管的开、关来实现能量的转换。开关管的开关既影响到开关管的发热，又是电磁辐射的源头，而这一切均通过开关管的驱动实现。因此开关管的驱动既是电力电子技术的难点，又是重点。

现有技术中，开关管驱动电路的推、拉电流较小，无法使用于大功率开关管驱动，高电平输出时电压无法接近驱动电源电压，低电平输出时接近地电平。且开关管驱动电路功耗较大。且大功率开关管驱动电路的高性能器件选择成本较高。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种低成本高性能开关管驱动电路。

为实现上述目的，根据本发明实施例的低成本高性能开关管驱动电路，包括共基极推挽对管，所述共基极推挽对管的共基极与信号源的信号输出端电性连接，用于在所述信号源的作用下输出第一驱动信号；

共门极推挽对管，所述共门极推挽对管的共门极与所述共基极推挽对管的输出端电性连接，共门极推挽对管的输出端与被驱动晶体管的受控端连接，用于在所述第一驱动信号的作用下输出第二驱动信号，对所述被驱动晶体管进行导通或截止的驱动。

进一步地，根据本发明的一个实施例，所述共基极推挽对管包括：

第一三极管Q2，所述第一三极管Q2的集电极与第一供电电压连接；

第二三极管Q3，所述第二三极管Q3的发射极与所述第一三极管Q2的发射极连接，所述第二三极管Q3的集电极与参考地连接，所述第二三极管Q3的基极与所述第一三极管Q2的基极连接，所述第一三极管Q2基极和第二三极管Q3的基极分别与所述信号源输出端连接，所述第一三极管Q2和第二三极管Q3的发射极与所述共门极推挽对管的门极连接。

进一步地，根据本发明的一个实施例，所述第一三极管Q2为NPN型三极管，所述第二三极管Q3为PNP型三极管。

进一步地，根据本发明的一个实施例，所述共门极推挽对管包括：

第一MOS晶体管Q4，所述第一MOS晶体管Q4的源极与所述第一供电电压连接；

第二MOS晶体管Q5，所述第二晶体管的漏极与所述第一MOS晶体管Q4的漏极连接，所述第二MOS晶体管Q5道源极与所述参考地连接，所述第二MOS晶体管Q5的门极与所述第一MOS晶体管Q4的门极连接，所述第一MOS晶体管Q4的门极和第二MOS晶体管Q5的门极分别与所述共基极推挽对管的所述第一驱动信号输出端连接，所述第一MOS晶体管Q4的漏极和第二MOS晶体管Q5的漏极分别与所述被驱动晶体管的受控端连接。

进一步地，根据本发明的一个实施例，所述第一MOS晶体管Q4为P沟道晶体管，所述第二MOS晶体管Q5为N沟道晶体管。

进一步地，根据本发明的一个实施例，还包括：

第一电阻R4，所述第一电阻R4的一端与所述第一MOS晶体管Q4的漏极连接，所述第一电阻R4的另一端与所述被驱动晶体管的受控端连接；