[发明专利]一种多管芯封装方法在审
申请号: | 201811145179.4 | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN109346437A | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 王钊 | 申请(专利权)人: | 南京中感微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/495;H01L23/538 |
代理公司: | 苏州市新苏专利事务所有限公司 32221 | 代理人: | 朱亦倩 |
地址: | 210000 江苏省南京市高*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 管芯 多管芯 引线框架 上表面 预封装 金属触点 金属连线 金属层 封装 金属连线图形 淀积金属 金属连接 连接图形 电连接 封装体 图形化 互连 芯片 | ||
1.一种多管芯封装方法,其特征在于,其包括:
提供预封装体,所述预封装体包括引线框架和放置于所述引线框架上的多个管芯,每个管芯的上表面均设置有多个金属触点;
在所述预封装体的上表面淀积金属层;
图形化所述金属层,以形成金属连线图形,所述金属连接图形包括多条金属连线,通过所述金属连线连接不同管芯的金属触点,以实现管芯之间的互连。
2.根据权利要求1所述的多管芯封装方法,其特征在于,
所述预封装体还包括设置于所述引线框架周围的多个芯片管脚,所述金属连线还连接芯片管脚和对应管芯的金属触点,以实现管芯与芯片管脚的互连。
3.根据权利要求1所述的多管芯封装方法,其特征在于,
所述金属层为铝或铜;
所述金属触点为0.2微米~5微米的正方形,或者最小边长为0.2微米的长方形。
4.根据权利要求1所述的多管芯封装方法,其特征在于,
淀积所述金属层的区域为预封装体的上表面需要连线的区域,
所述需要连线的区域包括多个管芯之间的互连区域,和/或多个管芯与所述芯片管脚之间的连线区域。
5.根据权利要求4所述的多管芯封装方法,其特征在于,
当相邻两个管芯平铺于引线框架上时,所述多管芯封装方法还包括:在淀积所述金属层前,用填充剂填充相邻两个管芯之间的间隙,以在相邻两个管芯之间的间隙形成填充层;
当两个管芯叠放于引线框架上时,所述多管芯封装方法还包括:在淀积所述金属层前,在叠放的两个管芯之间的叠放边界形成第一过渡绝缘层,以使得叠放的两个管芯的上表面在叠放边界的过渡更平坦;
当所述引线框架和管芯之间存在高度差,且淀积所述金属层的区域包括管芯与所述芯片管脚220之间的连线区域时,所述多管芯封装方法还包括:在淀积所述金属层前,在所述引线框架和管芯之间形成第二过渡绝缘层,以使得引线框架和管芯的上表面在叠放边界的过渡更平坦。
6.根据权利要求5所述的多管芯封装方法,其特征在于,
所述第一过渡绝缘层和第二过渡绝缘层为斜坡或多级阶梯;
所述第一过渡绝缘层和第二过渡绝缘层由淀积或溅射工艺形成。
7.根据权利要求5所述的多管芯封装方法,其特征在于,
所述第一过渡绝缘层和第二过渡绝缘层采用二氧化硅或氮化硅;
所述填充剂为环氧树脂。
8.根据权利要求1所述的多管芯封装方法,其特征在于,
每个管芯上均设置有对位标识,基于所述对位标识调整管芯在所述引线框架上的相对位置;
所述对位标识采用金属层设计,或者采用多晶硅层设计。
9.根据权利要求8所述的多管芯封装方法,其特征在于,
所述对位标识为十字对位标识,所述十字对位标识包括第一对位边和与第一对位边垂直并相交的第二对位边。
10.根据权利要求9所述的多管芯封装方法,其特征在于,
在所述引线框架上放置管芯时,使得管芯的十字对位标识的第一对位边或第二对位边与所述引线框架上的参考边平行;
在所述引线框架上放置管芯时,使得管芯上的十字对位标识的第一对位边在X轴方向上为某一固定值,使得管芯上的十字对位标识的第二对位边在Y轴方向上为某一固定值。
11.根据权利要求1所述的多管芯封装方法,其特征在于,所述提供预封装体步骤包括:
提供多个管芯;
自所述管芯的上表面的绝缘层刻蚀形成多个刻蚀孔,以暴露管芯内需要连线的金属区;
在所述多个刻蚀孔内填充金属,以在所述管芯上形成多个金属触点;
提供引线框架,并将设置有金属触点的多个管芯放置于所述引线框架上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造