[发明专利]旋转体用地磁传感器低噪声信号处理电路

权利要求书

1.一种旋转体用地磁传感器低噪声信号处理电路，其特征在于，包括依次连接的微处理器、置位复位电路、地磁传感器、前置放大电路和信号调理电路，所述微处理器通过所述置位复位电路按照对应周期对所述地磁传感器进行置位复位，以使所述地磁传感器输出对应周期的传感信号；

所述前置放大电路对所述传感信号进行前置放大处理；

所述信号调理电路对前置放大后的传感信号的放大倍数和信噪比进行调节，并基于调节后的放大倍数和信噪比对前置放大后的传感信号进行调理，以使调理后的传感信号与其后级模数转换器的模拟输入信号范围匹配。

2.根据权利要求1所述的旋转体用地磁传感器低噪声信号处理电路，其特征在于，所述置位复位电路包括模拟开关和功率MOSFET，所述微处理器的输出端连接所述模拟开关的输入端，用于向所述模拟开关提供对应置位脉冲，所述模拟开关的输出端连接所述功率MOSFET的输入端连接，所述功率MOSFET的输出端与所述地磁传感器的置位复位端连接，用于向所述地磁传感器提供对应置位脉冲。

3.根据权利要求2所述的旋转体用地磁传感器低噪声信号处理电路，其特征在于，所述微处理器的输出端通过第八电阻连接所述模拟开关的输入端，所述模拟开关的电源端连接电源VCC、第十二电容的第一端以及第十三电容的第一端，所述模拟开关的接地端接地，所述第十二电容的第二端和第十三电容的第二端接地。

4.根据权利要求2所述的旋转体用地磁传感器低噪声信号处理电路，其特征在于，所述功率MOSFET为包括N、P双沟道的HEXFET系列功率MOSFET，其中两个功率MOSFET的门极，作为输入端，分别与所述模拟开关的输出端连接，两个功率MOSFET的漏极，作为输出端，通过第十五电容与所述地磁传感器的置位复位端连接，N沟道功率MOSET的源极接地，P沟道功率MOSFET的源极连接第十四电容的第一端，所述第十四电容的第一端通过第九电阻连接电源VCC，第二端接地。

5.根据权利要求1所述的旋转体用地磁传感器低噪声信号处理电路，其特征在于，所述地磁传感器的电源端分别连接第十六电容、第十七电容和第十电阻的第一端，所述第十六电容和第十七电容的第二端接地，所述第十电阻的第二端连接电源VCC。

6.根据权利要求1所述的旋转体用地磁传感器低噪声信号处理电路，其特征在于，所述前置放大电路包括前置放大器，所述地磁传感器输出的第一差分传感信号通过第二电阻连接所述前置放大器的同相输入端，所述地磁传感器输出的第二差分传感信号通过第三电阻连接所述前置放大器的反相输入端，所述同相输入端通过第一电容连接所述反相输入端，所述前置放大器的第一偏置调节端通过第一电阻连接其第二偏置调节端，所述前置放大器的正电源端分别连接接地的第二电容、接地的第三电容和正电源VCC，负电源端分别连接接地的第四电容、第五电容和负电源VEE，输出端输出前置放大后的传感信号。

7.根据权利要求1所述的旋转体用地磁传感器低噪声信号处理电路，其特征在于，所述信号调理电路包括第一运算放大器，所述第一运算放大器的同相输入端连接第四电阻的第二端，所述第四电阻的第一端用于输入前置放大后的传感信号，第二端通过第六电容接地，所述第一运算放大器的反相输入端连接第五电阻的第一端，所述第五电阻的第一端还通过第六电阻连接所述第一运算放大器的输出端，并通过第十一电容连接所述第一运算放大器的输出端，所述第五电阻的第二端接地，所述第一运算放大器的正电源端分别连接接地的第九电容、接地的第十电容和正电源VCC，负电源端分别连接接地的第七电容、接地的第八电容和负电源VEE。

8.根据权利要求7所述的旋转体用地磁传感器低噪声信号处理电路，其特征在于，所述信号调理电路还包括第二运算放大器，所述第二运算放大器的同相输入端连接所述第一运算放大器的输出端，反相输入端连接其输出端，所述第二运算放大器的输出端输出调理后的传感信号。