[发明专利]旋转体用地磁传感器低噪声信号处理电路在审

专利信息
申请号: 201811145677.9 申请日: 2018-09-29
公开(公告)号: CN108873087A 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 王乾发;张洪宇;黄绍锦;谭本亮 申请(专利权)人: 重庆天箭惯性科技股份有限公司
主分类号: G01V3/40 分类号: G01V3/40;G01V3/38
代理公司: 重庆市诺兴专利代理事务所(普通合伙) 50239 代理人: 刘兴顺
地址: 401120 重庆*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 地磁传感器 传感信号 前置放大 前置放大电路 信号处理电路 信号调理电路 置位复位电路 微处理器 低噪声 调理 放大 模拟输入信号 模数转换器 范围匹配 外界磁场 依次连接 信噪比 比对 复位 置位 测量 输出
【说明书】:

发明提供一种旋转体用地磁传感器低噪声信号处理电路,包括依次连接的微处理器、置位复位电路、地磁传感器、前置放大电路和信号调理电路,微处理器通过置位复位电路按照对应周期对地磁传感器进行置位复位,以使地磁传感器输出对应周期的传感信号;前置放大电路对传感信号进行前置放大处理;信号调理电路对前置放大后的传感信号的放大倍数和信噪比进行调节,并基于调节后的放大倍数和信噪比对前置放大后的传感信号进行调理,以使调理后的传感信号与其后级模数转换器的模拟输入信号范围匹配。本发明可以降低外界磁场环境对地磁传感器的影响,提高地磁传感器的测量精度。

技术领域

本发明属于传感器技术领域,具体涉及一种旋转体用地磁传感器低噪声信号处理电路。

背景技术

随着经济的飞速发展,道路建设的投资力度越来越大,但是由于道路建设的周期一般较长,其扩充远远跟不上车辆的急剧增长,从而使得交通状态日益恶化。为了改变这种现状,需要建立完善的交通监控系统,建立交通监控系统首当其冲是需要进行数据采集,而地磁传感器是数据采集的关键部分,地磁传感器的性能对数据采集的准确性起到决定性作用。然而,目前地磁传感器在测量磁信号时,很容易受到外界磁场环境的干扰,测量精度低。

发明内容

本发明提供一种旋转体用地磁传感器低噪声信号处理电路,以解决目前地磁传感器很容易受到外界磁场环境的影响,测量精度低的问题。

根据本发明实施例的第一方面,提供一种旋转体用地磁传感器低噪声信号处理电路,包括依次连接的微处理器、置位复位电路、地磁传感器、前置放大电路和信号调理电路,所述微处理器通过所述置位复位电路按照对应周期对所述地磁传感器进行置位复位,以使所述地磁传感器输出对应周期的传感信号;

所述前置放大电路对所述传感信号进行前置放大处理;

所述信号调理电路对前置放大后的传感信号的放大倍数和信噪比进行调节,并基于调节后的放大倍数和信噪比对前置放大后的传感信号进行调理,以使调理后的传感信号与其后级模数转换器的模拟输入信号范围匹配。

在一种可选的实现方式中,所述置位复位电路包括模拟开关和功率MOSFET,所述微处理器的输出端连接所述模拟开关的输入端,用于向所述模拟开关提供对应置位脉冲,所述模拟开关的输出端连接所述功率MOSFET的输入端连接,所述功率MOSFET的输出端与所述地磁传感器的置位复位端连接,用于向所述地磁传感器提供对应置位脉冲。

在另一种可选的实现方式中,所述微处理器的输出端通过第八电阻连接所述模拟开关的输入端,所述模拟开关的电源端连接电源VCC、第十二电容的第一端以及第十三电容的第一端,所述模拟开关的接地端接地,所述第十二电容的第二端和第十三电容的第二端接地。

在另一种可选的实现方式中,所述功率MOSFET为包括N、P双沟道的HEXFET系列功率MOSFET,其中两个功率MOSFET的门极,作为输入端,分别与所述模拟开关的输出端连接,两个功率MOSFET的漏极,作为输出端,通过第十五电容与所述地磁传感器的置位复位端连接,N沟道功率MOSET的源极接地,P沟道功率MOSFET的源极连接第十四电容的第一端,所述第十四电容的第一端通过第九电阻连接电源VCC,第二端接地。

在另一种可选的实现方式中,所述地磁传感器的电源端分别连接第十六电容、第十七电容和第十电阻的第一端,所述第十六电容和第十七电容的第二端接地,所述第十电阻的第二端连接电源VCC。

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