[发明专利]改善柔性基板切割毛刺的方法在审
申请号: | 201811146709.7 | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN109202546A | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 柳发霖;方翠怡;董思娜;谭晓彬;李林 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | B24B1/00 | 分类号: | B24B1/00;G02F1/1333 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 潘霞 |
地址: | 516600 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 毛刺 柔性基板 后续工序 切割口 预切割 抛光 切割 削减 良品率 板面 良率 平整 验证 侧面 发现 生产 | ||
本发明涉及一种改善柔性基板切割毛刺的方法,用于削减或消除柔性基板预切割后于切割口处产生的毛刺,采用抛光方法削减或消除所述毛刺。经过验证发现,在预切割后,柔性基板的其中一侧面于切割口处会形成大量毛刺,该毛刺可以通过抛光方法处理,来降低毛刺的高度,甚至消除毛刺,使柔性基板可以满足后续工序的板面平整的要求,在很大程度上提高柔性基板的良品率,以及后续工序的良率,进而提高了生产效益。
技术领域
本发明涉及柔性基板的制备工艺技术领域,特别是涉及改善柔性基板切割毛刺的方法。
背景技术
柔性基板如彩色滤光片基板在制作过程中,为了方便后期的绑定可以在TFT基板(Thin Film Transistor,薄膜晶体管基板)上顺利的进行,需要事先在CF基板(ColorFilter,彩色滤光片基板)上进行预切割,暴露出TFT基板上的bonding位(打线位)。在预切割后经过ODF制程(One Drop Filling,液晶滴下制程),随后在切割裂片之后去掉CF基板上多余的部分。
但是,因为预切割时,CF基板结构的限制,在经过预切割后会导致在切缝两边形成大量很高的毛刺,影响ODF等制程的顺利进行,使产品良品率下降。
发明内容
基于此,有必要针对上述问题,提供一种改善柔性基板切割毛刺的方法,,在不损伤柔性基板情况下,有效改善毛刺,利于后续制程的顺利进行,提高了产品良率。
一种改善柔性基板切割毛刺的方法,用于削减或消除柔性基板预切割后于切割口处产生的毛刺,采用抛光方法削减或消除毛刺,包括以下步骤:
将具有毛刺的柔性基板沿毛刺延伸的方向逐渐靠近抛光盘,使毛刺与抛光盘的抛光面接触,并随着毛刺高度的削减将所述柔性基板逐渐靠向抛光盘,至该处的毛刺高度削减至要求的高度,或者消除毛刺;然后沿多个毛刺排列的方向移动柔性基板,按前述操作继续抛光,直至将所有毛刺削减或消除。
上述改善柔性基板切割毛刺的方法,经过验证发现,在预切割后,柔性基板的其中一侧面于切割口处会形成大量毛刺,该毛刺可以通过抛光方法处理,来降低毛刺的高度,甚至消除毛刺,使柔性基板可以满足后续工序的板面平整的要求,在很大程度上提高柔性基板的良品率,以及后续工序的良率,进而提高了生产效益。
在其中一个实施例中,抛光盘的直径为50mm~150mm。
在其中一个实施例中,,抛光盘的转速为70±1r/min。
在其中一个实施例中,每一处毛刺的抛光时间为20±3min。
在其中一个实施例中,抛光盘为尼龙抛光轮。
在其中一个实施例中,尼龙抛光轮的粒度≥120目。
在其中一个实施例中,抛光在湿度为50%~70%,温度为22±3℃的环境下进行。
在其中一个实施例中,抛光后采用AP清洗剂和/或水清洗。
在其中一个实施例中,抛光后采用AP清洗剂和水的混合溶液清洗,混合溶液中AP清洗剂的含量为3%wt~5%wt。
在其中一个实施例中,柔性基板为彩色滤光片基板或阵列基板。
附图说明
图1为第一个实施例中的柔性基板消除毛刺前的示意图;
图2为图1柔性基板削减毛刺后的示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明,下面将对本发明进行更全面的描述。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
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