[发明专利]形成半导体结构的部件的方法

权利要求书

1.一种形成半导体结构的部件的方法，包括：

在目标层上方形成掩模层；

对所述掩模层实施第一蚀刻工艺，以在所述掩模层中形成第一开口和第二开口；

对所述掩模层实施第二蚀刻工艺以减小所述第一开口和所述第二开口之间的端至端间隔，所述第一蚀刻工艺在与所述目标层的顶面平行的平面中是各向同性的，所述第二蚀刻工艺在与所述目标层的顶面平行的所述平面中是各向异性的，其中，在对所述掩模层实施所述第二蚀刻工艺之后，所述第一开口在与所述目标层的顶面垂直的第一平面中具有第一轮廓，并且在与所述目标层的顶面垂直的第二平面中具有第二轮廓，其中，所述第一轮廓不同于所述第二轮廓，所述第一平面不同于所述第二平面；以及

将所述掩模层的图案转印至所述目标层，

其中，所述第二蚀刻工艺使用定向等离子体带状束实施，并且其中，所述定向等离子体带状束中的离子的方向与垂直于所述目标层的顶面的方向形成非零角度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一蚀刻工艺在与所述目标层的顶面垂直的方向上的蚀刻速率不同于在与所述目标层的顶面平行的方向上的蚀刻速率。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺包括各向异性干蚀刻工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述定向等离子体带状束的宽度大于所述第一开口的宽度和所述第二开口的宽度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述掩模层的图案转印至所述目标层包括使用各向异性干蚀刻工艺来蚀刻所述目标层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非零角度在15度和40度之间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述掩模层的图案转印至所述目标层包括使用所述掩模层作为蚀刻掩模来蚀刻所述目标层。

8.一种形成半导体结构的部件的方法，包括：

在目标层上方形成掩模层；

对所述掩模层实施第一蚀刻工艺以在所述掩模层中形成第一开口和第二开口，所述第一蚀刻工艺在与所述目标层的顶面平行的第一平面中是各向同性的，所述第一开口和所述第二开口具有第一端至端间隔；

对所述掩模层实施第二蚀刻工艺，以在所述掩模层中形成扩大的所述第一开口和扩大的所述第二开口，所述第二蚀刻工艺在与所述目标层的顶面平行的所述第一平面内是各向异性的，扩大的所述第一开口和扩大的所述第二开口具有第二端至端间隔，所述第一端至端间隔不同于所述第二端至端间隔，其中，对所述掩模层实施所述第二蚀刻工艺包括使用定向等离子体带状束；以及

将所述掩模层用作蚀刻掩模来蚀刻所述目标层，

其中，在与所述目标层的顶面垂直的第二平面中，所述定向等离子体带状束中的离子的方向与垂直于所述目标层的顶面的方向形成第一角度，其中，在与所述目标层的顶面垂直的第三平面中，所述定向等离子体带状束中的离子的方向与垂直于所述目标层的顶面的方向形成第二角度，其中，所述第一角度不同于所述第二角度，并且，所述第二平面不同于所述第三平面。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述定向等离子体带状束的宽度大于所述第一开口的宽度和所述第二开口的宽度。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，蚀刻所述目标层包括使用各向异性干蚀刻工艺来蚀刻所述目标层。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一角度大于零，并且所述第二角度等于零。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一端至端间隔大于所述第二端至端间隔。