[发明专利]一种彩膜基板及其制造方法有效
申请号: | 201811147938.0 | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN109188759B | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 金潘;焦亚萍;祝宏勋;王志军 | 申请(专利权)人: | 南京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静 |
地址: | 210033 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 彩膜基板 及其 制造 方法 | ||
1.一种彩膜基板的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:提供进行曝光的光罩;
S2:在基板上涂覆一层黑色矩阵的正性光阻,采用所述光罩经过n次曝光之后再显影、烘烤制作出黑色矩阵,其中n为每个像素单元的子像素的数量;
S3:在步骤S2制作的基板上采用所述光罩形成色阻层,其中,n=3,所述色阻层为RGB色层,所述RGB色层包括R色层、G色层和B色层;
所述步骤S2具体为:
S21:在基板上涂覆一层黑色矩阵的正性光阻;
S22:用所述光罩对黑色矩阵的正性光阻进行第一次曝光,曝光后在第一层黑色矩阵上做上对位标记;
S23:通过参照对位标记将所述光罩沿水平方向朝一侧移动一个子像素的距离,进行第二次曝光;
S24:通过参照对位标记将所述光罩沿水平方向朝相同的一侧移动两个子像素的距离后进行第三次曝光;
S25:三次曝光完成后通过显影处理,移除被曝光位置处的正性光阻,烘烤后就得到黑色矩阵;
所述步骤S3具体为:
S31:在步骤S2制作的基板上涂覆一层第一色层负性光阻,采用所述光罩对第一色层的负性光阻进行曝光、显影、烘烤后制得第一色层;
S32:在制得第一色层的基板上涂覆一层第二色层负性光阻,采用所述光罩对第二色层的负性光阻进行曝光、显影、烘烤后制得第二色层;
S33:在制得第二色层的基板上涂覆一层第三色层负性光阻,采用所述光罩对第三色层的负性光阻进行曝光、显影、烘烤后制得第三色层;
所述第一色层、所述第二色层、所述第三色层分别是R色层、G色层和B色层的其中之一,且所述第一色层、所述第二色层、所述第三色层的颜色互不相同。
2.一种彩膜基板的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:提供进行曝光的光罩;
S2:在基板上涂覆一层黑色矩阵的正性光阻,采用所述光罩经过n次曝光之后再显影、烘烤制作出黑色矩阵,其中n为每个像素单元的子像素的数量;
S3:在步骤S2制作的基板上采用所述光罩形成色阻层,其中,n=4,所述色阻层为RGBW色层,所述RGBW色层包括R色层、G色层、B色层和W色层;
所述步骤S2具体为:
S21:在基板上涂覆一层黑色矩阵的正性光阻;
S22:用所述光罩对黑色矩阵的正性光阻进行第一次曝光,曝光后在第一层黑色矩阵上做上对位标记;
S23:通过参照对位标记将所述光罩沿水平方向朝一侧移动一个子像素的距离,进行第二次曝光;
S24:通过参照对位标记将所述光罩沿水平方向朝相同的一侧移动两个子像素的距离后进行第三次曝光;
S25:通过参照对位标记将所述光罩沿水平方向朝相同的一侧移动三个子像素的距离后进行第四次曝光;
S26:四次曝光完成后通过显影处理,移除被曝光位置处的正性光阻,烘烤后就得到黑色矩阵;
所述步骤S3具体为:
S31:在步骤S2制作的基板上涂覆一层第一色层的负性光阻,采用所述光罩对第一色层的负性光阻进行曝光、显影、烘烤后制得第一色层的色层;
S32:在制得第一色层的基板上涂覆一层第二色层的负性光阻,采用所述光罩对第二色层的负性光阻进行曝光、显影、烘烤后制得第二色层的色层;
S33:在制得第二色层的基板上涂覆一层第三色层的负性光阻,采用所述光罩对第三色层的负性光阻进行曝光、显影、烘烤后制得第三色层的色层;
S34:在制得第三色层的基板上涂覆一层第四色层的负性光阻,采用所述光罩对第四色层的负性光阻进行曝光、显影、烘烤后制得第四色层的色层;
所述第一色层、所述第二色层、所述第三色层、所述第四色层分别是R色层、G色层、B色层和W色层的其中之一,且所述第一色层、所述第二色层、所述第三色层、所述第四色层的颜色互不相同。
3.一种彩膜基板,采用权利要求1-2任一所述彩膜基板的制造方法制造的,包括黑色矩阵和色阻层,其特征在于,所述黑色矩阵由正性光阻制作,所述色阻层由负性光阻制作,且黑色矩阵和色阻层由同一张光罩制作完成。
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