[发明专利]薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201811148550.2 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109599435A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 原健吾;大东彻;今井元;菊池哲郎;铃木正彦;西宫节治;上田辉幸 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟道 栅极电极 上层 下层 栅极绝缘膜 薄膜晶体管 方式配置 半导体材料 漏极电极 漏极电流 源极电极 膜厚 配置 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，具备：
沟道部，其包括半导体材料；
源极电极，其连接到上述沟道部的一端侧；
漏极电极，其连接到上述沟道部的另一端侧；
上层侧栅极电极，其在上述沟道部的上层侧以与上述沟道部重叠的方式配置；
下层侧栅极电极，其在上述沟道部的下层侧以与上述沟道部重叠的方式配置；
上层侧栅极绝缘膜，其配置为介于上述上层侧栅极电极与上述沟道部之间；以及
下层侧栅极绝缘膜，其配置为介于上述下层侧栅极电极与上述沟道部之间，其膜厚与上述上层侧栅极绝缘膜相比相对较大。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，
上述下层侧栅极绝缘膜至少包含：低介电常数绝缘膜；以及高介电常数绝缘膜，其相对介电常数高于上述低介电常数绝缘膜。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，
上述低介电常数绝缘膜被设为硅氧化膜，而上述高介电常数绝缘膜被设为膜厚大于上述硅氧化膜的硅氮化膜。
4.根据权利要求1至权利要求3中的任意一项所述的薄膜晶体管，
上述下层侧栅极绝缘膜至少包含SOG膜。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，
上述下层侧栅极绝缘膜包含硅化合物膜。
6.根据权利要求1至权利要求5中的任意一项所述的薄膜晶体管，
上述半导体材料被设为氧化物半导体材料。
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