[发明专利]薄膜晶体管

说明书

提供一种薄膜晶体管，进一步增大漏极电流。TFT(10)具备：沟道部(15)，其包括半导体材料；源极电极(13)，其连接到沟道部(15)的一端侧；漏极电极(14)，其连接到沟道部(15)的另一端侧；上层侧栅极电极(11)，其在沟道部(15)的上层侧以与沟道部(15)重叠的方式配置；下层侧栅极电极(12)，其在沟道部(15)的下层侧以与沟道部(15)重叠的方式配置；上层侧栅极绝缘膜(16)，其配置为介于上层侧栅极电极(11)与沟道部(15)之间；以及下层侧栅极绝缘膜(17)，其配置为介于下层侧栅极电极(12)与沟道部(15)之间，其膜厚(T1)与上层侧栅极绝缘膜(16)相比相对较大。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管。

背景技术

以往，作为液晶显示装置所具备的半导体装置的一个例子，已知下述专利文献1所记载的半导体装置。作为该专利文献1所记载的一种半导体装置的晶体管设为如下构成：具有：第1绝缘层、第2绝缘层、氧化物半导体层以及第1至第3导电层，氧化物半导体层具有与第1绝缘层接触的区域，第1导电层与氧化物半导体层连接，第2导电层与氧化物半导体层连接，第2绝缘层具有与氧化物半导体层接触的区域，第3导电层具有与第2绝缘层接触的区域，氧化物半导体层具有第1至第3区域，第1区域与第2区域分开设置，第3区域设置在第1区域与第2区域之间，第3区域与第3导电层具有隔着第2绝缘层而重叠的区域，第1区域和第2区域具有碳浓度比第3区域高的部分。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2015-181151号公报

发明内容

发明要解决的问题

在上述专利文献1中记载有如下构成：将第3导电层用作栅极电极层，并且在相对于氧化物半导体层而与第3导电层侧相反的一侧设置导电层，将该导电层用作第2栅极电极层(背栅极)，从而实现了漏极电流的增加。但是，由于氧化物半导体层使用氧化物半导体材料作为半导体材料，因此，与使用多晶硅作为半导体材料的情况相比，电荷迁移率变低，漏极电流也变小。因此，在使用氧化物半导体材料作为多晶硅的代替材料的情况下，要求漏极电流的进一步增加。

本发明是基于如上所述的情况而完成的，目的在于进一步增大漏极电流。

用于解决问题的方案

本发明的薄膜晶体管具备：沟道部，其包括半导体材料；源极电极，其连接到上述沟道部的一端侧；漏极电极，其连接到上述沟道部的另一端侧；上层侧栅极电极，其在上述沟道部的上层侧以与上述沟道部重叠的方式配置；下层侧栅极电极，其在上述沟道部的下层侧以与上述沟道部重叠的方式配置；上层侧栅极绝缘膜，其配置为介于上述上层侧栅极电极与上述沟道部之间；以及下层侧栅极绝缘膜，其配置为介于上述下层侧栅极电极与上述沟道部之间，其膜厚与上述上层侧栅极绝缘膜相比相对较大。

这样一来，当上层侧栅极电极和下层侧栅极电极被通电时，电荷会经由包括半导体材料的沟道部在源极电极与漏极电极之间移动。由于上层侧栅极电极和下层侧栅极电极与沟道部重叠配置，因此，假如与仅有1个栅极电极与沟道部重叠配置的情况相比，能够增大流到沟道部的漏极电流。