[发明专利]薄膜晶体管、栅极驱动电路和显示面板有效

专利信息
申请号: 201811149006.X 申请日: 2018-09-29
公开(公告)号: CN109309100B 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 刘凤娟;韩影 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 刘薇;牛南辉
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 栅极 驱动 电路 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管,包括:衬底基板,设置于所述衬底基板上的梳齿形状的栅极、有源层、位于所述栅极和有源层之间的栅极绝缘层、以及梳齿形状的源电极和漏电极,其中,

所述源电极的第一齿部和所述漏电极的第二齿部沿第一方向交替设置,并且在所述衬底基板上的正投影与所述有源层分别至少部分重叠;

所述栅极的第三齿部位于邻近的第一齿部和第二齿部之间;

所述有源层与所述第三齿部在所述衬底基板上的正投影相交的区域为第一相交部;

所述第一齿部、所述第二齿部、所述第三齿部以及所述有源层形成多个并联的子薄膜晶体管;

所述多个子薄膜晶体管中在中心位置处的至少一个中心子薄膜晶体管的第一相交部在所述第一方向上的第一尺寸与所述第一相交部在第二方向上的第二尺寸的比值最大,其中所述第二方向与所述第一方向垂直。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其中,所述多个子薄膜晶体管的相应的第一相交部的第二尺寸相同,并且所述至少一个中心子薄膜晶体管的所述第一相交部的第一尺寸最大。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管,其中,所述多个子薄膜晶体管中不同于所述至少一个中心子薄膜晶体管的其它子薄膜晶体管的第一相交部的第一尺寸相同。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管,其中,对于所述多个子薄膜晶体管中不同于所述至少一个中心子薄膜晶体管的其它子薄膜晶体管,随着与所述至少一个中心子薄膜晶体管之间的距离的增加,所述其它子薄膜晶体管的第一相交部的第一尺寸减小。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜晶体管,其中,所述有源层在所述第二方向上被分隔成多个段。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管,其中,所述多个段在所述第二方向上的尺寸相同。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管,其中,所述多个段在所述第二方向上的尺寸不同。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管,其中,所述多个段中处于中心位置处的至少一个段在所述第二方向上的尺寸最小。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其中,所述多个子薄膜晶体管的相应的第一相交部的第一尺寸相同,并且所述至少一个中心子薄膜晶体管的第一相交部的第二尺寸最小。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管,其中,所述多个子薄膜晶体管中不同于所述至少一个中心子薄膜晶体管的其它子薄膜晶体管的第一相交部的第二尺寸相同。

11.根据权利要求9所述的薄膜晶体管,其中,对于所述多个子薄膜晶体管中不同于所述至少一个中心子薄膜晶体管的其它子薄膜晶体管,随着与所述至少一个中心子薄膜晶体管之间的距离的增加,所述其它子薄膜晶体管的第一相交部的第二尺寸增大。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的薄膜晶体管,其中,对于所述多个子薄膜晶体管中的各个子薄膜晶体管,所述有源层中用于形成相应子薄膜晶体管的区域在所述第二方向上被分隔成多个段。

13.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其中,所述至少一个中心子薄膜晶体管的第一相交部的第一尺寸最大且第二尺寸最小。

14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管,其中,对于所述多个子薄膜晶体管中不同于所述至少一个中心子薄膜晶体管的其它子薄膜晶体管,随着与所述至少一个中心子薄膜晶体管之间的距离的增加,所述其它子薄膜晶体管的第一相交部的第一尺寸减小。

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