[发明专利]薄膜晶体管、栅极驱动电路和显示面板有效
申请号: | 201811149006.X | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN109309100B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 刘凤娟;韩影 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 刘薇;牛南辉 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 栅极 驱动 电路 显示 面板 | ||
1.一种薄膜晶体管,包括:衬底基板,设置于所述衬底基板上的梳齿形状的栅极、有源层、位于所述栅极和有源层之间的栅极绝缘层、以及梳齿形状的源电极和漏电极,其中,
所述源电极的第一齿部和所述漏电极的第二齿部沿第一方向交替设置,并且在所述衬底基板上的正投影与所述有源层分别至少部分重叠;
所述栅极的第三齿部位于邻近的第一齿部和第二齿部之间;
所述有源层与所述第三齿部在所述衬底基板上的正投影相交的区域为第一相交部;
所述第一齿部、所述第二齿部、所述第三齿部以及所述有源层形成多个并联的子薄膜晶体管;
所述多个子薄膜晶体管中在中心位置处的至少一个中心子薄膜晶体管的第一相交部在所述第一方向上的第一尺寸与所述第一相交部在第二方向上的第二尺寸的比值最大,其中所述第二方向与所述第一方向垂直。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其中,所述多个子薄膜晶体管的相应的第一相交部的第二尺寸相同,并且所述至少一个中心子薄膜晶体管的所述第一相交部的第一尺寸最大。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管,其中,所述多个子薄膜晶体管中不同于所述至少一个中心子薄膜晶体管的其它子薄膜晶体管的第一相交部的第一尺寸相同。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管,其中,对于所述多个子薄膜晶体管中不同于所述至少一个中心子薄膜晶体管的其它子薄膜晶体管,随着与所述至少一个中心子薄膜晶体管之间的距离的增加,所述其它子薄膜晶体管的第一相交部的第一尺寸减小。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜晶体管,其中,所述有源层在所述第二方向上被分隔成多个段。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管,其中,所述多个段在所述第二方向上的尺寸相同。
7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管,其中,所述多个段在所述第二方向上的尺寸不同。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管,其中,所述多个段中处于中心位置处的至少一个段在所述第二方向上的尺寸最小。
9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其中,所述多个子薄膜晶体管的相应的第一相交部的第一尺寸相同,并且所述至少一个中心子薄膜晶体管的第一相交部的第二尺寸最小。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管,其中,所述多个子薄膜晶体管中不同于所述至少一个中心子薄膜晶体管的其它子薄膜晶体管的第一相交部的第二尺寸相同。
11.根据权利要求9所述的薄膜晶体管,其中,对于所述多个子薄膜晶体管中不同于所述至少一个中心子薄膜晶体管的其它子薄膜晶体管,随着与所述至少一个中心子薄膜晶体管之间的距离的增加,所述其它子薄膜晶体管的第一相交部的第二尺寸增大。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的薄膜晶体管,其中,对于所述多个子薄膜晶体管中的各个子薄膜晶体管,所述有源层中用于形成相应子薄膜晶体管的区域在所述第二方向上被分隔成多个段。
13.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其中,所述至少一个中心子薄膜晶体管的第一相交部的第一尺寸最大且第二尺寸最小。
14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管,其中,对于所述多个子薄膜晶体管中不同于所述至少一个中心子薄膜晶体管的其它子薄膜晶体管,随着与所述至少一个中心子薄膜晶体管之间的距离的增加,所述其它子薄膜晶体管的第一相交部的第一尺寸减小。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的