[发明专利]薄膜晶体管、栅极驱动电路和显示面板有效
申请号: | 201811149006.X | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN109309100B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 刘凤娟;韩影 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 刘薇;牛南辉 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 栅极 驱动 电路 显示 面板 | ||
本发明的实施例公开了薄膜晶体管、栅极驱动电路和显示面板。该薄膜晶体管包括:衬底基板,设置在衬底基板上的梳齿形状的栅极、有源层、位于栅极和有源层之间的栅极绝缘层、以及梳齿形状的源电极和漏电极。源电极的第一齿部和漏电极的第二齿部沿第一方向交替设置,并且在衬底基板上的正投影与有源层分别至少部分重叠。栅极的第三齿部位于邻近的第一齿部和第二齿部之间。有源层与第三齿部在衬底基板上的正投影相交的区域为第一相交部。第一齿部、第二齿部、第三齿部以及有源层形成多个并联的子薄膜晶体管。多个子薄膜晶体管中在中心位置处的至少一个中心子薄膜晶体管的第一相交部在第一方向上的第一尺寸与该第一相交部在第二方向上的第二尺寸的比值最大,其中,第二方向与第一方向垂直。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体地,涉及薄膜晶体管、栅极驱动电路和显示面板。
背景技术
目前,显示面板的窄边框化已成为趋势。在显示面板中,可采用将栅极驱动电路整合到阵列基板上的技术实现,即GOA(Gate Driver On Array)技术。在GOA技术中,通常需要具有超大宽长比的薄膜晶体管来实现大电流,以保证显示面板的显示效果。在现有技术中,具有超大宽长比的薄膜晶体管一般采用由多个子薄膜晶体管并联形成的梳状薄膜晶体管。
发明内容
本发明的实施例提供了一种薄膜晶体管、相应的栅极驱动电路和显示面板,其能够减少在薄膜晶体管的中心区域积累的热量,从而避免由于中心区域过热而导致的晶体管的击穿现象。
根据本发明的第一方面,提供了一种薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括衬底基板、设置于衬底基板上的梳齿形状的栅极、有源层、位于栅极和有源层之间的栅极绝缘层、以及梳齿形状的源电极和漏电极。进一步地,源电极的第一齿部和漏电极的第二齿部沿第一方向交替设置并且在衬底基板上的正投影与有源层分别至少部分重叠。栅极的第三齿部位于邻近的第一齿部和第二齿部之间。有源层与第三齿部在衬底基板上的正投影相交的区域为第一相交部。第一齿部、第二齿部、第三齿部以及有源层形成多个并联的子薄膜晶体管。多个子薄膜晶体管中在中心位置处的至少一个中心子薄膜晶体管的第一相交部在第一方向上的第一尺寸与第一相交部在第二方向上的第二尺寸的比值最大,且第二方向与第一方向垂直。
在本发明的实施例中,多个子薄膜晶体管的相应的第一相交部的第二尺寸相同,并且至少一个中心子薄膜晶体管的第一相交部的第一尺寸最大。
在本发明的实施例中,多个子薄膜晶体管中不同于至少一个中心子薄膜晶体管的其它子薄膜晶体管的第一相交部的第一尺寸相同。
在本发明的实施例中,对于多个子薄膜晶体管中不同于至少一个中心子薄膜晶体管的其它子薄膜晶体管,随着与至少一个中心子薄膜晶体管之间的距离的增加,其它子薄膜晶体管的第一相交部的第一尺寸减小。
在本发明的实施例中,有源层在第二方向上被分隔成多个段。
在本发明的实施例中,多个段在第二方向上的尺寸相同。
在本发明的实施例中,多个段在第二方向上的尺寸不同。
在本发明的实施例中,多个段中处于中心位置处的至少一个段在第二方向上的尺寸最小。
在本发明的实施例中,多个子薄膜晶体管的相应的第一相交部的第一尺寸相同,并且至少一个中心子薄膜晶体管的第一相交部的第二尺寸最小。
在本发明的实施例中,对于多个子薄膜晶体管中不同于至少一个中心子薄膜晶体管的其它子薄膜晶体管的第一相交部的第二尺寸相同。
在本发明的实施例中,对于多个子薄膜晶体管中不同于至少一个中心薄膜晶体管的其它子薄膜晶体管,随着与至少一个中心子薄膜晶体管之间的距离的增加,其它子薄膜晶体管的第一相交部的第二尺寸增大。
在本发明的实施例中,对于多个子薄膜晶体管中的各个子薄膜晶体管,有源层中用于形成该子薄膜晶体管的区域在第二方向上被分隔成多个段。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的