[发明专利]光学装置在审
申请号: | 201811149145.2 | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN109346591A | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 麦杰平;刘庆斌;何音杰 | 申请(专利权)人: | 国红(深圳)光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 方良 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蓝光LED芯片 发光材料层 光学装置 光学技术领域 光学装置结构 红外发光材料 红色荧光粉 黄色荧光粉 抗干扰能力 绿色荧光粉 出光效率 可靠性能 蓝光激发 预设距离 制备工艺 | ||
1.一种光学装置,其特征在于,包括:
蓝光LED芯片;
设置在所述蓝光LED芯片表面或设于所述蓝光LED芯片上方预设距离处的发光材料层;其中,所述发光材料层含有红外发光材料,且所述发光材料层含有能被蓝光激发的红色荧光粉、绿色荧光粉和黄色荧光粉中的至少一种。
2.如权利要求1所述的光学装置,其特征在于,所述红外发光材料的分子通式为:RaQbOc:(Crx,Yby)或RaQbOc:Crx;
其中,R为Y、La、Lu和Gd元素中的至少一种;
Q为Ga和Al元素中的至少一种;
2.5≤a≤3.5,4.5≤b≤5.5,11.25≤c≤13.25,0.02≤x≤0.30,0.02≤y≤0.30。
3.如权利要求1所述的光学装置,其特征在于,所述蓝光LED芯片的发射峰值波长为420-470nm。
4.如权利要求1所述的光学装置,其特征在于,所述红外发光材料的发光波长为780-1600nm;和/或
所述能被蓝光激发的红色荧光粉的发光波长为600-660nm;和/或
所述能被蓝光激发的绿色荧光粉的发光波长为510-540nm;和/或
所述能被蓝光激发的黄色荧光粉的发光波长为540-570nm。
5.如权利要求1所述的光学装置,其特征在于,所述能被蓝光激发的红色荧光粉包括(Ca,Sr)AlSiN3:Eu、Sr2Si5N8:Eu和(Sr,Ca)S:Eu中的至少一种;和/或
所述能被蓝光激发的绿色荧光粉包括(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce、(Sr,Ca)2SiO4:Eu和β-Siaon:Eu中的至少一种;和/或
所述能被蓝光激发的黄色荧光粉包括Y3Al5O12:Ce、La3Si5N11:Ce和Ca-α-Sialon:Eu中的至少一种。
6.如权利要求1所述的光学装置,其特征在于,所述蓝光LED芯片的发射峰值波长为420-470nm,且所述发光材料层含有红外发光材料和能被蓝光激发的红色荧光粉(Ca,Sr)AlSiN3:Eu;或者,
所述蓝光LED芯片的发射峰值波长为420-470nm,且所述发光材料层含有红外发光材料和能被蓝光激发的绿色荧光粉(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce;或者,
所述蓝光LED芯片的发射峰值波长为420-470nm,且所述发光材料层含有红外发光材料和能被蓝光激发的黄色荧光粉Y3Al5O12:Ce。
7.如权利要求1所述的光学装置,其特征在于,所述蓝光LED芯片的发射峰值波长为420-470nm,且所述发光材料层含有红外发光材料和能被蓝光激发的红色荧光粉(Ca,Sr)AlSiN3:Eu和绿色荧光粉(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce。
8.如权利要求1-7任一项所述的光学装置,其特征在于,所述发光材料层由所述能被蓝光激发的红色荧光粉、绿色荧光粉和黄色荧光粉中的至少一种、所述红外发光材料和硅胶组成。
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