[发明专利]一种石墨基座

说明书

本发明公开了一种石墨基座，属于半导体技术领域。所述石墨基座上设有用于容纳衬底的多个口袋，每个所述口袋的边缘设有用于将所述衬底悬置在所述口袋内的凸块，所述凸块围成的区域内与所述石墨基座的中心之间的距离最远的部分设有凹槽。本发明通过在凸块围成的区域内与石墨基座的中心之间的距离最远的部分设有凹槽，增大这个部分与上面悬置的衬底之间的距离，从而减小这个部分传导给衬底的热量，平衡这个部分上面悬置的衬底与口袋的侧壁密切接触所升高的温度，均衡外延片各个区域的温度，使外延片各个区域的发光波长一致，提高外延片的片内均匀性和边缘良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种石墨基座。

背景技术

半导体发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管。LED具有高效节能、绿色环保的优点，在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用。尤其是利用大功率LED实现半导体固态照明，有望成为新一代光源进入千家万户，引起人类照明史的革命。

外延片是LED制作过程中的初级成品。形成外延片时，将衬底放置在金属有机化合物化学气相沉淀(英文：Metal Organic Chemical Vapor Deposition，简称：MOCVD)设备的反应腔内的托盘上，MOCVD设备中的加热丝提供的热能通过托盘传导到衬底，同时向反应腔内通入原材料，在衬底上外延生长半导体材料形成外延片。现在的托盘大部分是采用高纯石墨作基材，上面镀有碳化硅涂层的石墨基座。石墨基座上设有多个口袋(英文：pocket)，一个口袋中可以容纳一个衬底。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

石墨基座在外延片形成过程中高速旋转，口袋内的衬底在离心力的作用下与口袋的侧壁密切接触。由于加热丝提供的热能是通过石墨基座传导到衬底的，因此衬底与侧壁的接触区域的温度会明显高于非接触区域的温度，导致外延片各个区域的发光波长不一致，影响外延片的片内均匀性和边缘良率。

发明内容

本发明实施例提供了一种石墨基座，能够解决现有技术衬底在离心力的作用下与口袋的侧壁接触导致外延片各个区域发光波长不一致的问题。所述技术方案如下：

本发明实施例提供了一种石墨基座，所述石墨基座上设有用于容纳衬底的多个口袋，每个所述口袋的边缘设有用于将所述衬底悬置在所述口袋内的凸块，所述凸块围成的区域内与所述石墨基座的中心之间的距离最远的部分设有凹槽。

可选地，所述凹槽的深度沿从所述石墨基座的中心向外延伸的方向逐渐增大。

可选地，所述凹槽的深度从所述凸块围成的区域内与所述石墨基座的中心之间的距离最远的点，沿所述凸块围成的区域的边缘逐渐减小。

可选地，所述凹槽的深度的最大值为25μm～30μm。

可选地，所述凹槽的宽度从所述凸块围成的区域内与所述石墨基座的中心之间的距离最远的点，沿所述凸块围成的区域的边缘逐渐减小。

可选地，所述凹槽的宽度的最大值为3mm～10mm。

可选地，所述凹槽在所述凸块围成的区域的边缘的两端与所述石墨基座的

中心的连线之间的夹角为30°～60°。

可选地，所述凹槽在所述凸块围成的区域的边缘的两端与所述凹槽的边缘之间的夹角为1.5°～3°。

可选地，所述凹槽内与所述石墨基座的中心之间的距离最近的点与所述凹槽的边缘之间的夹角为10°～25°。

可选地，所述口袋的边缘与所述石墨基座的中心之间的距离最远的部分设有挡块。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：