[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括衬底基板、覆盖于所述衬底基板上的有源层、覆盖于所述有源层上的栅绝缘层以及覆盖于所述栅绝缘层上的栅极，所述有源层包括沟道区以及位于所述沟道区两侧、且均与所述沟道区相连接的导体化区，其特征在于，所述衬底基板上设有放置部，所述放置部用于放置所述沟道区，以使所述沟道区与位于所述沟道区两侧的导体化区之间具有高度差；

所述有源层位于所述沟道区的侧面与所述有源层位于所述导体化区的侧面部分接触或不接触；

所述栅绝缘层将所述沟道区的表面覆盖，且所述栅绝缘层与所述导体化区的表面相接触；

所述有源层的材料为a-IGZO，ZnON或IZTO。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括缓冲层，所述缓冲层覆盖于所述衬底基板上；

所述放置部包括设置于所述缓冲层上的凸台，所述有源层覆盖于所述缓冲层上，并且所述沟道区覆盖于所述凸台上。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括缓冲层，所述缓冲层覆盖于所述衬底基板上；

所述放置部包括开设于所述缓冲层上的凹槽，所述有源层覆盖于所述缓冲层上，并且所述沟道区覆盖于所述凹槽的槽底上。

4.一种如权利要求1～3中任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成放置部；

在所述衬底基板上形成有源层，并且使所述有源层的一部分区域设置于所述放置部，以形成沟道区；

在所述有源层上形成栅绝缘层；

将所述有源层中位于所述沟道区两侧区域上所覆盖的所述栅绝缘层去除；

通过导体化工艺处理所述有源层中位于所述沟道区两侧的区域，以形成导体化区。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成放置部；在所述衬底基板上形成有源层，并且使所述有源层的一部分区域设置于所述放置部，以形成沟道区，包括：

在所述衬底基板上形成缓冲层；

在所述缓冲层上刻蚀形成凸台；

在所述缓冲层上形成所述有源层，并且使所述有源层的一部分区域覆盖于所述凸台上，以形成所述沟道区。

6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成放置部；在所述衬底基板上形成有源层，并且使所述有源层的一部分区域设置于所述放置部，以形成沟道区，包括：

在所述衬底基板上形成缓冲层；

在所述缓冲层上刻蚀形成凹槽；

在所述缓冲层上形成所述有源层，并且使所述有源层的一部分区域覆盖于所述凹槽的槽底上，以形成所述沟道区。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1～3中任一项所述的薄膜晶体管。

8.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求7所述的阵列基板。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8所述的显示面板。