[发明专利]半导体器件、其生产方法和层叠体

权利要求书

1.半导体器件，其包括：支持体；在所述支持体上形成的双层粘合剂树脂层；在所述粘合剂树脂层上形成的绝缘层和再分布层；芯片层和成型树脂层，其中

所述粘合剂树脂层包括含有能通过光照射分解的树脂的树脂层A和含有非有机硅系热塑性树脂的树脂层B，从所述支持体侧依次提供所述树脂层A和所述树脂层B，所述能通过光照射分解的树脂为在其主链中含有稠合环的树脂和所述非有机硅系热塑性树脂具有200℃以上的玻璃化转变温度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述树脂层A具有20％以下的在355nm的波长的光透射率。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述树脂层A由含有具有由下式(1)表示的重复单元的树脂A的树脂组合物A的固化产物形成：

其中，R¹至R³各自独立地为氢原子、羟基或具有1至20个碳原子的一价有机基团，R¹至R³的至少一个为羟基，和R⁴为氢原子或可以具有取代基的具有1至30个碳原子的一价有机基团。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述非有机硅系热塑性树脂在其主链中含有芳环。

5.用于生产权利要求1所述的半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)直接在支持体上形成树脂层A；

(b)在所述树脂层A上形成树脂层B；

(c)在所述树脂层B上形成绝缘层并且使所述绝缘层图案化；

(d)在经图案化的绝缘层上形成导电层；

(e)在所述导电层上形成镀覆抗蚀剂层并且使所述镀覆抗蚀剂层图案化以暴露在所述镀覆抗蚀剂层的图案特征之间的所述导电层；

(f)在所述镀覆抗蚀剂层的图案特征之间的所述导电层的经暴露的部分上形成再分布层；

(g)去除所述镀覆抗蚀剂层以暴露所述导电层并且去除经暴露的导电层；

(h)在所述步骤(g)之后形成第二绝缘层并且使所述第二绝缘层图案化以暴露所述再分布层；

(i)在所述再分布层上形成芯片层；

(j)用底部填充剂填充所述芯片层和所述绝缘层之间的空隙；和

(k)在所述芯片层上形成成型树脂层。

6.层叠体，其包括：支持体；在所述支持体上形成的双层粘合剂树脂层；在所述粘合剂树脂层上形成的绝缘层；和镀覆抗蚀剂层，其中

所述粘合剂树脂层包括含有能通过光照射分解的树脂的树脂层A和含有非有机硅系热塑性树脂的树脂层B，从所述支持体侧依次提供所述树脂层A和所述树脂层B，所述能通过光照射分解的树脂为在其主链中含有稠合环的树脂和所述非有机硅系热塑性树脂具有200℃以上的玻璃化转变温度。