[发明专利]一种太阳能外延结构、太阳能电池及制备方法

权利要求书

1.一种太阳能外延结构，其特征在于，所述太阳能外延结构包括依次重叠设置的背场层、基层、发射层、窗口层和接触层，所述基层和所述发射层分别包括至少一个V型槽，所述基层的V型槽的开口朝向所述发射层，所述发射层的V型槽的开口方向朝向所述窗口层。

2.根据权利要求1所述的太阳能外延结构，其特征在于，所述基层、所述发射层的V型槽相互重叠。

3.根据权利要求2所述的太阳能外延结构，其特征在于，所述窗口层还包括至少一个所述V型槽。

4.根据权利要求3所述的太阳能外延结构，其特征在于，所述窗口层的V型槽与所述基层和所述发射层的V型槽相互重叠。

5.根据权利要求4所述的太阳能外延结构，其特征在于，所述接触层还包括至少一个所述V型槽。

6.根据权利要求5所述的太阳能外延结构，其特征在于，所述接触层的V型槽与所述基层、所述发射层和所述窗口层的V型槽相互重叠。

7.根据权利要求1-6任一项所述的太阳能外延结构，其特征在于，所述基层的V型槽开口的尺寸为0-1μm，V型槽的深度为0-3μm。

8.根据权利要求1所述的太阳能外延结构，其特征在于，所述背场层上生长有至少一条穿透所述背场层的位错，所述基层的V型槽的顶点与穿透所述背场层的位错相对应。

9.根据权利要求8所述的太阳能外延结构，其特征在于，所述太阳能外延结构还包括衬底，所述衬底设置在所述背场层远离基层的一侧。

10.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括太阳能外延结构、正面电极、减反射膜和背面电极，所述背面电极设置在背场层上远离基层的一侧，所述减反射膜设置在接触层远离窗口层的一侧，所述正面电极设置在减反射膜远离接触层一侧，所述太阳能外延结构如权利要求1-9任一项所述。

11.一种太阳能外延结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在第一温度状态下按照第一生长速率生长背场层，所述背场层包括穿透所述背场层的位错；

在第二温度状态下在所述背场层上生长基层，所述生长时间为第一时间段；

在第三温度状态下继续生长基层，所述背场层上生长的基层包括V型槽；

在第四温度状态下在所述基层上生长发射层，所述基层上生长的发射层包括与所述基层的V型槽重叠的V型槽；

在第五温度状态下在所述发射层上生长窗口层；

在第六温度状态下在所述窗口层上生长接触层。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述第一温度为400-1000摄氏度之间的任意温度。

13.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述第一温度、第三温度、第四温度、第五温度和第六温度均相等。

14.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述第二温度为第一温度的N分之一，N为大于等于1的正整数。

15.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述第一生长速率为0.8-1nm/s之间的任意速率。

16.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述第一时间段为10秒。

17.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，在所述背场层上生长基层前，所述制备方法还包括：

在第一混合气体中对所述背场层和所述基层退火，所述第一混合气体包括N₂、H₂中任意一种和AsH₃。