[发明专利]一种掩膜版的量测补值方法、掩膜版及掩膜版的制备方法在审
申请号: | 201811154512.8 | 申请日: | 2018-09-30 |
公开(公告)号: | CN109212897A | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 张海杰;杨祖有 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/84 | 分类号: | G03F1/84 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜版 实际距离 预设距离 长度尺 显示区 预留区 量测 制备 量测准确性 图案化处理 玻璃基板 产品加工 分析对比 生产效率 实际产品 送样 测量 申请 保证 | ||
1.一种掩膜版的量测补值方法,其特征在于,包括:
提供一掩膜版,所述掩膜版包括显示区以及预留区,所述预留区设置有长度尺,所述掩膜版的显示区上设置有多个第一图形,根据预设距离值确定所述掩膜版上所述多个第一图形的位置;
对所述多个第一图形进行图案化处理,在玻璃基板上得到与所述多个第一图形对应的多个第二图形,并获取所述多个第二图形中相邻第二图形间的实际距离值;
根据所述预设距离值与所述第二图形间的实际距离值得到补偿值;
根据所述补偿值对所述第二图形进行补值处理。
2.如权利要求1所述的掩膜版的量测补值方法,其特征在于,所述长度尺用于确定所述多个第一图形位置以及测量所述相邻第二图形间的实际距离值。
3.如权利要求2所述的掩膜版的量测补值方法,其特征在于,所述根据预设距离值确定所述掩膜版上的多个第一图形的位置,包括:
根据所述长度尺的刻度线与所述预设距离值确定所述掩膜版上所述多个第一图形中相邻第一图形间的距离值为预设距离值。
4.如权利要求1所述的掩膜版的量测补值方法,其特征在于,所述对所述多个第一图形进行图案化处理,在玻璃基板上得到与所述多个第一图形对应的多个第二图形,并获取所述多个第二图形中相邻第二图形间的实际距离值包括:
对所述多个第一图形进行图案化处理,使得所述玻璃基板上的所述多个第二图形在水平方向上的长度减小或增大,以得到与所述多个第一图形对应的多个第二图形;
根据所述长度尺的刻度线确定所述多个第二图形中相邻第二图形间的实际距离值。
5.如权利要求1所述的掩膜版的量测补值方法,其特征在于,所述根据所述预设距离值与所述实际距离值得到补偿值,包括:
根据所述预设距离值与所述实际距离值的差值,得到所述补偿值。
6.如权利要求1所述的掩膜版的量测补值方法,其特征在于,所述预设距离值为所述多个第一图形中相邻第一图形末端间的距离,和/或所述多个第一图形中相邻第一图形首端间的距离。
7.如权利要求1所述的掩膜版的量测补值方法,其特征在于,所述实际距离值为所述多个第二图形中相邻第二图形末端间的距离,和/或所述多个第二图形中相邻第二图形首端间的距离。
8.如权利要求1所述的掩膜版的量测补值方法,其特征在于,所述对所述多个第一图形进行图案化处理,包括:
对所述多个第一图形进行曝光和/或蚀刻。
9.一种掩膜版,其特征在于,包括:显示区以及预留区,所述显示区上设置有多个第一图形,在所述预留区上设置有长度尺,所述长度尺为如权利要求1-8任一项所述的长度尺。
10.一种掩膜版的制备方法,其特征在于,包括:
将所述掩膜版划分为显示区以及预留区;其中,
所述显示区上设置有多个第一图形,所述预留区上设置有长度尺,所述长度尺为如权利要求1-8任一项所述的长度尺。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备