[发明专利]一种掩膜版的量测补值方法、掩膜版及掩膜版的制备方法

说明书

本申请公开了一种掩膜版的量测补值方法、掩膜版以及掩膜版的制备方法，包括：提供一掩膜版，所述掩膜版包括显示区以及预留区，所述预留区设置有长度尺，所述掩膜版的显示区上设置有多个第一图形，根据预设距离值确定所述掩膜版上所述多个第一图形的位置；对所述多个第一图形进行图案化处理，在玻璃基板上得到与所述多个第一图形对应的多个第二图形，并获取所述多个第二图形中相邻第二图形间的实际距离值；根据所述预设距离值与所述第二图形间的实际距离值得到补偿值；根据所述补偿值对所述第二图形进行补值处理，以使在产品加工时可以通过该长度尺进行测量并进行相应的补值处理从而保证量测准确性，提高生产效率以及减少实际产品送样分析对比。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种掩膜版的量测补值方法、掩膜版及掩膜版的制备方法。

背景技术

近年来，随着芯片的集成度不断提高，其尺寸不断缩小到微米级甚至于纳米级，生产工艺也越来越复杂，为了达到良好的器件性能，各个光刻图形不但要保证层与层之间的精确套刻(对准)，还要有精准的特征尺寸线宽，

现有技术中，低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)量测线宽机针对产品进行量测的手段较为繁琐，生产加工效率低下。

因此，现有技术存在缺陷，急需改进。

发明内容

本申请实施例提供一种掩膜版的量测补值方法、掩膜版及掩膜版的制备方法，可以在产品加工过程中量测补值，保证量测准确性并提高了制作工艺的效率。

本申请实施例提供一种掩膜版的量测补值方法，包括：

提供一掩膜版，所述掩膜版包括显示区以及预留区，所述预留区设置有长度尺，所述掩膜版的显示区上设置有多个第一图形，根据预设距离值确定所述掩膜版上所述多个第一图形的位置；

对所述多个第一图形进行图案化处理，在玻璃基板上得到与所述多个第一图形对应的多个第二图形，并获取所述多个第二图形中相邻第二图形间的实际距离值；

根据所述预设距离值与所述第二图形间的实际距离值得到补偿值；

根据所述补偿值对所述第二图形进行补值处理。

在本申请所述的掩膜版的量测补值方法中，所述长度尺用于确定所述多个第一图形位置以及测量所述相邻第二图形间的实际距离值。

在本申请所述的掩膜版的量测补值方法中，所述根据预设距离值确定所述掩膜版上的多个第一图形的位置，包括：

根据所述长度尺的刻度线与所述预设距离值确定所述掩膜版上所述多个第一图形中相邻第一图形间的距离值为预设距离值。

在本申请所述的掩膜版的量测补值方法中，所述对所述多个第一图形进行图案化处理，在玻璃基板上得到与所述多个第一图形对应的多个第二图形，并获取所述多个第二图形中相邻第二图形间的实际距离值包括：

对所述多个第一图形进行图案化处理，使得所述玻璃基板上的所述多个第二图形在水平方向上的长度减小或增大，以得到与所述多个第一图形对应的多个第二图形；

根据所述长度尺的刻度线确定所述多个第二图形中相邻第二图形间的实际距离值。

在本申请所述的掩膜版的量测补值方法中，所述根据所述预设距离值与所述实际距离值得到补偿值，包括：

根据所述预设距离值与所述实际距离值的差值，得到所述补偿值。

在本申请所述的掩膜版的量测补值方法中，所述预设距离值为所述多个第一图形中相邻第一图形末端间的距离，和/或所述多个第一图形中相邻第一图形首端间的距离。