[发明专利]一种检测LED芯片的仪器和方法

权利要求书

1.一种检测LED芯片的方法，其特征在于：包括以下步骤：1）紫外激发光源照射被测LED芯片，被测LED芯片的波长大于紫外激发光源的波长；2)测量被测LED芯片的电特性值，电特性值为电压值和/或电流值；3）根据被测LED芯片电特性值与紫外激发光源辐射照度值对应关系确定被测LED芯片的测试情况， 被测LED芯片电特性值与紫外激发光源辐射照度值对应关系包括被测LED芯片死灯区域、被测LED芯片漏电区域和被测LED芯片正常导通区域；被测LED芯片死灯区域为LED芯片死灯时LED芯片的电特性与紫外激发光源辐射照度的对应关系曲线；被测LED芯片漏电区域位于LED芯片死灯时LED芯片的电特性与紫外激发光源辐射照度的对应关系曲线、LED芯片正常导通时LED芯片的电特性与紫外激发光源辐射照度的对应关系曲线之间区域；被测LED芯片正常导通区域为LED芯片导通时LED芯片的电特性与紫外激发光源辐射照度的对应关系曲线；LED芯片漏电区域内的曲线与LED芯片导通时LED芯片的电特性与紫外激发光源辐射照度的对应关系曲线有重叠区域时，若被测LED芯片的电特性值与紫外激发光源辐射照度值位于重叠区域时，则调整紫外激发光源辐射照度值让被测LED芯片的电特性值与紫外激发光源辐射照度值位于非重叠区域内，根据非重叠区域内的被测LED芯片的电特性值与紫外激发光源辐射照度值对应关系重新判断被测试LED芯片的测试情况。

2.根据权利要求1所述的检测LED芯片的方法，其特征在于：LED芯片的电特性值通过电压检测仪和/或电流检测仪检测；所述电压检测仪的精度至少为0.01V。

3.根据权利要求1所述的检测LED芯片的方法，其特征在于：被测LED芯片的测试情况包括被测LED芯片漏电、被测LED芯片正常导通或被测LED芯片死灯。

4.根据权利要求1所述的检测LED芯片的方法，其特征在于：被测LED芯片为波长高于紫外激发光源波段的紫外LED芯片。

5.根据权利要求1所述的检测LED芯片的方法，其特征在于：被测LED芯片为可见光LED芯片。

6.一种实现权利要求1-5任一项所述的检测LED芯片的方法的检测LED芯片的仪器，其特征在于：包括紫外激发光源、被测LED芯片测试区域和电特性检测仪，电特性检测仪为电压检测仪和/或电流检测仪，被测LED芯片测试区域与紫外激发光源相对设置且位于紫外激发光源的辐射范围内，电特性检测仪与被测LED芯片测试区域电连接，电压检测仪上连接有控制器，控制器根据被测LED芯片电特性值与紫外激发光源辐射照度值对应关系确定被测LED芯片的测试情况，被测LED芯片特性值与紫外激发光源辐射照度值对应关系包括被测LED芯片死灯区域、被测LED芯片漏电区域和被测LED芯片正常导通区域；被测LED芯片死灯区域为LED芯片死灯时LED芯片的电特性值与紫外激发光源辐射照度值的对应关系曲线；被测LED芯片漏电区域位于LED芯片死灯时LED芯片的电特性值与紫外激发光源辐射照度值的对应关系曲线、LED芯片正常导通时LED芯片的电特性值与紫外激发光源辐射照度值的对应关系曲线之间区域；被测LED芯片正常导通区域为LED芯片导通时LED芯片的电特性值与紫外激发光源辐射照度值的对应关系曲线；LED芯片漏电区域内的曲线与LED芯片导通时LED芯片的电特性与紫外激发光源辐射照度的对应关系曲线有重叠区域时，若被测LED芯片的电特性值与紫外激发光源辐射照度值位于重叠区域时，则调整紫外激发光源辐射照度值让被测LED芯片的电特性值与紫外激发光源辐射照度值位于非重叠区域内，根据非重叠区域内的被测LED芯片的电特性值与紫外激发光源辐射照度值对应关系重新判断被测试LED芯片的测试情况。

7.根据权利要求6所述的检测LED芯片的仪器，其特征在于：还包括壳体，所述壳体内设有被测LED芯片测试区域、紫外激发光源和电特性检测仪，所述壳体上设有开口，开口上设有盖板，盖板的一端铰接在开口上。

8.根据权利要求6所述的检测LED芯片的仪器，其特征在于：还包括显示器，显示器与控制器电连接。

9.根据权利要求7所述的检测LED芯片的仪器，其特征在于：所述壳体内紫外激发光源与被测试LED芯片之间设有滤波片。