[发明专利]一种检测LED芯片的仪器和方法

说明书

本发明公开了一种检测LED芯片的仪器及方法，仪器包括紫外激发光源、被测LED芯片测试区域和电特性检测仪，被测LED芯片测试区域与紫外激发光源相对设置且位于紫外激发光源的辐射范围内，电特性检测仪与被测LED芯片测试区域电连接。方法为：1)紫外激发光源照射被测LED芯片，被测LED芯片的波长大于紫外激发光源的波长；2)测量被测LED芯片的电特性值；3)根据被测LED芯片电特性值与紫外激发光源辐射照度值对应关系确定被测LED芯片的测试情况。本发明无需外接电源即可实现LED芯片的检测，同时可准确地检测LED芯片的异常情况。

技术领域

本发明涉及LED芯片的检测领域，具体是一种检测LED芯片的仪器和方法。

背景技术

LED(即发光二极管)由于具有寿命长、无污染、能耗低等被广泛用于照明、指示等领域，而为了确保LED芯片的正常使用，一般需要对LED芯片的电性能进行检测，现有LED芯片的检测方法包括以下几种：

第一种检测方法是将LED芯片封装成LED光源，然后再在LED光源两端接入一驱动电源，然后测试LED光源测试点位置的电压从而确定LED芯片的电特性是否在合理的范围内，但是这种方式需要将LED芯片封装成成品然后进行检测，且需要在LED光源两端通入一驱动电源，这样若驱动电源选择不合适或不稳定容易导致LED芯片损坏，从而导致测试不准确；

第二种检测方法如美国发明专利US006670820B2，其公开了一种半导体材料及器件电致发光特性检测方法，具体公开了在LED芯片上施加激发光，同时在P区和N区之间施加正向偏置电压，形成牵引电场，吸引P区和N区的电子向中间的有源区运动，然后在有源区发生辐射复合而发光，然后利用光接收器件在结合激发光的强度和芯片的吸收系数，计算出光生载流子的浓度，结合有源区的辐射发光量和实际光注入并达到有源区的载流子的浓度，就可以定量分析出所测LED芯片的电子发光性能，该检测方法需要解除芯片施加偏置电压，从而容易受到偏置电压的影响从而导致测试部准确；

第三种检测方法如中国专利申请号CN200810070112.9，公告日为2010.11.10，具体公开了通过检测可控激励光照射下待测器件PN结的光之发光，对LED芯片的发光特征和电特性进行检测，其中电特性参数包括正向电流和正向电压，其中正向电流是通过测量得到光致发光强度以及参照样品的光致发光强度之间通过换算得到，而正向偏置电压是通过测量得到待测器件PN结的波长通过换算得到，从而正向电压必须先得到测试器件PN结的光特性，其主要采用光接收器件获得LED芯片的光学特性然后确定电学特性，但是由于光接收器位于被测芯片的一侧采集被测芯片的光信号，从而导致无法全部采集到被测芯片的光信号，另外可控激励光与被测芯片发光之间并没有完全隔离，从而可控激励光与被测芯片发出的光线会相互影响，从而无法准确的采集被测芯片的光信号，另外如果需要对整片LED芯片进行测试，由于整片LED芯片上发出光会相互影响从而导致无法准确地采集被测芯片的光信号；因此，需要需求一种测试准确度高且无需外接电源的测试方法。

发明内容

为解决现有技术中存在的问题，本发明提供了一种检测LED芯片的仪器和方法，无需外接电源即可实现LED芯片的检测，同时可准确地检测LED芯片的异常情况。