[发明专利]一种半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构制作方法，其特征在于，所述方法至少包括：

在衬底上形成多个位线结构；

在所述衬底上形成多个介质墙，其中，所述介质墙的上表面高于所述位线结构的上表面，且所述介质墙延伸覆盖其与所述位线结构交叠的部分；

在所述位线结构和所述介质墙所围成的电容存储节点窗口中制作绝缘结构，以形成分离的电容存储节点窗口；

在所述分离的电容存储节点窗口中沉积导电材料层；

回蚀刻所述导电材料层，在所述绝缘结构的两侧形成电容接触节点结构。

2.根据权利要求1所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述在所述位线结构和所述介质墙所围成的电容存储节点窗口中制作绝缘结构的步骤，包括：

形成所述介质墙的绝缘侧壁；

沉积牺牲层覆盖所述电容存储节点窗口、所述位线结构及所述介质墙；

刻蚀所述牺牲层以在所述电容存储节点窗口中形成第一沟槽；

在所述第一沟槽内沉积第一层间介质，并回刻蚀部分所述第一层间介质，以在所述电容存储节点窗口中形成由第一层间介质构成的工字型掩膜结构；

利用所述第一层间介质作为掩膜，蚀刻所述电容存储节点窗口内的牺牲层以形成所述绝缘结构；

其中，所述绝缘结构包括：所述第一沟槽内沉积的第一层间介质以及所述工字型掩膜结构下方至所述衬底上方的牺牲层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述刻蚀所述牺牲层以在所述电容存储节点窗口中形成第一沟槽的步骤，包括：

干法刻蚀所述牺牲层以在所述电容存储节点窗口中形成第一沟槽。

4.根据权利要求2所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述刻蚀所述牺牲层以在所述电容存储节点窗口中形成所述第一沟槽的步骤，包括：

沉积所述牺牲层覆盖所述电容存储节点窗口、所述位线结构及所述介质墙，在所述电容存储节点窗口中形成第二沟槽，其中，所述第二沟槽尺寸是相邻两根位线间距的20％～60％。；

蚀刻所述第二沟槽的底部、所述位线结构顶部及所述介质墙顶部的所述牺牲层，在所述电容存储节点窗口中形成所述第一沟槽。

5.根据权利要求1所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述在衬底上形成多个位线结构的步骤，包括：

在所述衬底内形成有浅沟槽隔离结构，以隔离出若干间隔排布的有源区；

所述有源区内形成有若干埋入式栅极结构，其中，所述埋入式栅极结构两侧形成有第一掺杂区和第二掺杂区；

在所述第一掺杂区上方形成多个位线结构。

6.根据权利要求2所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成多个介质墙的步骤，包括：

在所述衬底及所述位线结构上淀积第二层间介质，所述第二层间介质的上表面高于所述位线结构的高度；

在所述第二层间介质上淀积掩膜材料层，并图形化所述掩膜材料层，利用所述掩膜材料层刻蚀所述第二层间介质；

其中，所述介质墙与所述位线结构相交。

7.根据权利要求1所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述回蚀刻所述导电材料层，在所述绝缘结构的两侧形成电容接触节点结构的步骤，包括：

回蚀刻所述导电材料层，保留所述导电材料层的厚度为位线高度的30％-60％，以在所述绝缘结构的两侧形成电容接触节点结构，且所述电容接触节点结构与第二掺杂区形成电连接。

8.根据权利要求6所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述第二层间介质为氧化硅，所述掩膜材料层为氮化硅。

9.根据权利要求2所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述沉积牺牲层覆盖所述电容存储节点窗口、所述位线结构及所述介质墙的步骤中，所述牺牲材料层的厚度为相邻两根位线间距的20％-40％。