[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201811161253.1 申请日: 2018-09-30
公开(公告)号: CN109301086B 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 张粲 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;贾玉
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 显示 及其 制作方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示基板,包括硅基底和设置在所述硅基底上的显示器件,其特征在于,所述硅基底包括:基底本体和设置在所述基底本体上的阻挡结构,所述阻挡结构包围所述显示器件,且所述阻挡结构在垂直于所述基底本体的方向上的高度,高于所述显示器件在垂直于所述基底本体的方向上的厚度;

所述基底本体和所述阻挡结构为一体结构;

所述显示基板还包括封装薄膜,封装薄膜包括依次层叠设置在发光单元上的第一层薄膜、第二层薄膜和第三层薄膜,所述第一层薄膜完全包覆显示器件、阻挡结构和至少部分基底本体。

2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括:

位于所述显示器件和所述阻挡结构之间的硅基通道区,所述硅基通道区设置有贯穿所述基底本体,且与所述显示器件连接的硅基通道;

设置在所述基底本体背向所述显示器件的一侧,且与所述硅基通道连接的驱动单元,所述驱动单元通过所述硅基通道为所述显示器件提供驱动信号。

3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述硅基通道包括贯穿所述基底本体的硅基过孔和填充在所述硅基过孔中的导电材料。

4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述阻挡结构包括挡墙图形,所述挡墙图形在垂直于所述基底本体的方向上的厚度在20μm~100μm之间;

所述挡墙图形在垂直于其自身延伸方向上的宽度在10μm~30μm之间;和/或,

所述基底本体的厚度在0.3mm~0.5mm之间。

5.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~4中任一项所述的显示基板。

6.一种显示基板的制作方法,其特征在于,包括:

制作硅基底,所述硅基底包括:基底本体和设置在所述基底本体上的阻挡结构;

在所述基底本体上,由所述阻挡结构限定出的区域内制作显示器件,所述阻挡结构在垂直于所述基底本体的方向上的高度,高于所述显示器件在垂直于所述基底本体的方向上的厚度;

制作封装薄膜,封装薄膜包括依次层叠设置在发光单元上的第一层薄膜、第二层薄膜和第三层薄膜,所述第一层薄膜完全包覆显示器件、阻挡结构和至少部分基底本体;

当所述基底本体和所述阻挡结构为一体结构时,所述制作硅基底的步骤具体包括:

提供一硅基材;

对所述硅基材进行刻蚀,形成所述基底本体和位于所述基底本体上的阻挡结构。

7.根据权利要求6所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括:

在所述基底本体上制作贯穿所述基底本体的硅基通道,所述硅基通道位于所述显示器件与所述阻挡结构之间,且与所述显示器件连接;

在所述基底本体背向所述显示器件的一侧绑定驱动单元,所述驱动单元与所述硅基通道连接,所述驱动单元通过所述硅基通道为所述显示器件提供驱动信号。

8.根据权利要求7所述的显示基板的制作方法,其特征在于,在所述基底本体上制作硅基通道的步骤具体包括:

在所述基底本体上形成贯穿所述基底本体的硅基过孔;

在所述硅基过孔中填充导电材料。

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