[发明专利]电子设备壳体、电子设备和复合体

权利要求书

1.一种电子设备壳体，其特征在于，包括：

框体；

封接层，所述封接层设置在所述框体的至少一部分外表面上，所述封接层包括依次层叠设置的多个封接子层，形成所述封接子层的材料包括：玻璃粉和粘结剂，其中，所述玻璃粉和所述粘结剂的质量比为88~92：8-12；

背壳，所述背壳通过所述封接层与所述框体相连，所述框体为金属框或陶瓷框体，所述背壳为玻璃背壳；

其中，所述封接层的热膨胀系数在所述框体和所述背壳的热膨胀系数之间，且所述框体、多个所述封接子层和所述背壳中相邻两结构之间的热膨胀系数差异在±10%以内。

2.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，在所述框体、所述封接层和所述背壳的分布方向上，多个所述封接子层的热膨胀系数梯度升高或梯度降低。

3.根据权利要求1或2所述的电子设备壳体，其特征在于，所述金属框与所述封接层之间还设有结合促进层，所述金属框与所述结合促进层之间的热膨胀系数差异在±10%以内，所述封接层中与所述结合促进层最接近的所述封接子层与所述结合促进层之间的热膨胀系数差异在±10%以内。

4.根据权利要求3所述的电子设备壳体，其特征在于，所述结合促进层满足以下条件的至少一种：

所述结合促进层与所述封接层相似相溶；

所述结合促进层远离所述金属框的表面上具有凹凸结构；

所述结合促进层具有多孔结构；

所述结合促进层中含有M或者M_xO_n，其中，M为选自Fe、Al、Ti、Ni和Mo中的至少一种，x为1、2或3，n为1~6的整数；

所述结合促进层的厚度为1~10微米。

5.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，形成所述金属框的材料包括不锈钢或铝合金。

6.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，所述玻璃粉满足以下条件的至少一种：

所述玻璃粉中不含铅；

所述玻璃粉包括硅酸盐氧化物系、磷酸盐系、硼酸盐系玻璃粉、硫化物系玻璃粉和卤化系玻璃粉中的至少一种。

7.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1-6中任一项所述的电子设备壳体。

8.一种复合体，其特征在于，包括：

第一工件；

封接层，所述封接层设置在所述第一工件的至少一部分外表面上，所述封接层包括依次层叠设置的多个封接子层，形成所述封接子层的材料包括：玻璃粉和粘结剂，其中，所述玻璃粉和所述粘结剂的质量比为88~92：8-12；

第二工件，所述第二工件通过所述封接层与所述第一工件连接；

其中，所述封接层的热膨胀系数在所述第一工件和所述第二工件的热膨胀系数之间，且所述第一工件、多个所述封接子层和所述第二工件中相邻两结构之间的热膨胀系数差异在±10%以内，

所述第一工件为金属件或陶瓷件，所述第二工件为玻璃件。

9.根据权利要求8所述的复合体，其特征在于，形成所述第一工件的材料包括不锈钢或铝合金。

10.根据权利要求8所述的复合体，其特征在于，所述玻璃粉满足以下条件的至少一种：

所述玻璃粉中不含铅；

所述玻璃粉包括硅酸盐氧化物系、磷酸盐系、硼酸盐系玻璃粉、硫化物系玻璃粉和卤化系玻璃粉中的至少一种。

11.根据权利要求8所述的复合体，其特征在于，在所述第一工件、所述封接层和所述第二工件的分布方向上，多个所述封接子层的热膨胀系数梯度升高或梯度降低。