[发明专利]浸润式雷射加工方法及其系统

权利要求书

1.一种浸润式雷射加工方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基板，所述基板具有第一形状；

通过设置于承载体或雷射源的附近的挟持部将所述基板挟持且设置于所述承载体中，所述承载体中注入液体，其中，所述基板被所述液体包覆且所述基板的表面低于所述液体的液面；

提供所述雷射源，以产生雷射光束；

根据应用程序，将所述雷射光束沿着第二形状切割所述基板，以将所述基板分离为主要基板与次要基板，所述挟持部挟持所述主要基板，由于所述基板的比重大于所述液体的比重，未受到所述挟持部挟持的所述次要基板自所述基板脱离并沉入所述承载体之底部，或者根据所述应用程序，所述雷射光束在所述基板钻孔，以在所述基板中形成孔洞与衍生物，由于所述基板的比重大于所述液体的比重，未受到所述挟持部挟持的所述衍生物将自所述基板脱离并沉入所述承载体之底部，其中所述主要基板相关于所述第二形状；以及

获得主要基板、具有所述孔洞之所述基板或具有所述孔洞之所述主要基板。

2.一种用于加工基板的浸润式雷射加工系统，其特征在于，所述浸润式雷射加工系统包含：

承载单元，形成容置空间供注入液体，所述容置空间供设置所述基板，其中所述基板被所述液体包覆且所述基板的表面低于所述液体的液面；

雷射光源部，设置于所述承载单元之一侧，所述雷射光源部产生雷射光束；

挟持部，设置于所述承载单元或所述雷射光源部的附近，用以挟持所述基板，以让所述基板浸润于所述液体；以及

处理单元，连接到所述雷射光源部，所述处理单元执行应用程序，以将所述基板切割成主要基板与次要基板，或者在所述基板中形成孔洞与衍生物，其中所述挟持部挟持所述主要基板、未形成所述孔洞与所述衍生物的所述基板；

其中，由于所述基板的比重大于所述液体的比重，未受到所述挟持部挟持的所述次要基板自所述基板脱离并沉入所述承载单元之底部，或者未受到所述挟持部挟持的所述衍生物自所述基板脱离并沉入所述承载单元之底部。

3.如权利要求2所述的浸润式雷射加工系统，其特征在于，所述应用程序引导所述雷射光束基于路径在所述基板移动。

4.如权利要求3所述的浸润式雷射加工系统，其特征在于，所述雷射光源部还包含机械组件，让所述雷射光束沿所述路径运行。

5.如权利要求3所述的浸润式雷射加工系统，其特征在于，所述雷射光源部还包含扫描组件，让所述雷射光束沿所述路径运行。

6.如权利要求2所述的浸润式雷射加工系统，其特征在于，所述应用程序调整所述雷射光束之物理特征，所述物理特征可为功率、光束密度、扫描速度与持续时间之至少一者，或者所述应用程序以连续波模式、单一脉冲模式、脉冲模式与脉冲串模式之至少一者驱动所述雷射光束。

7.如权利要求2所述的浸润式雷射加工系统，其特征在于，所述雷射光源部还包含光学组件以调整所述雷射光束的路径、方向、功率、焦点、光束直径与焦距之至少一者。

8.如权利要求2所述的浸润式雷射加工系统，其特征在于，所述液体在所述容置空间具有流动速度，以持续地散发所述雷射光束作用于所述基板所产生的温度。

9.如权利要求2所述的浸润式雷射加工系统，其特征在于，所述次要基板与所述衍生物受作用力的影响，朝所述承载单元之底部移动。

10.如权利要求2所述的浸润式雷射加工系统，其特征在于，所述雷射光束的波长范围介于190纳米至1064纳米之间或介于190纳米至10600纳米之间，以及所述液体为水、甘油、油、纳米水或其前述混合液。

11.如权利要求10所述的浸润式雷射加工系统，其特征在于，所述浸润式雷射加工系统还包含声波产生器，设置于所述承载单元中，所述声波产生器在所述承载单元中产生振动，以扰动所述液体。