[发明专利]反应腔及化学气相沉积装置

说明书

本发明提供了一种反应腔及化学气相沉积装置，反应腔包括腔本体和设置于腔本体内的支撑座和支架组件，支架组件包括第一支架和第二支架，第一支架的第一端和第二支架的第一端设置于支撑座上，第一支架的第二端和第二支架的第二端为自由端，且第一支架的第二端至支撑座的距离大于第二支架的第二端至支撑座的距离，第一支架的第二端用于朝向支撑座移动。本方案避免了样品表面与支架接触面上的沉积盲区，只需进行一次开炉沉积即可完成对整个样品表面的沉积覆盖，而不需要进行二次开炉沉积，很大程度上提高了沉积效率，降低生产消耗。

技术领域

本发明涉及化学气相沉积技术领域，尤其涉及一种反应腔及化学气相沉积装置。

背景技术

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition)是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或者光辐射等各种能源，在反应器内使气态或者蒸汽状态的化学物质气固界面上经过化学反应形成固体沉积物的技术。反应腔是化学气相沉积(CVD)设备的核心，决定了整个设备的性能。现有技术中，CVD沉积设备内的样品是直接放置在一固定的支撑座上。在反应过程中，样品与支撑座直接接触的部分由于不能与反应气体进行反应形成沉积盲区，需要停炉后将样品翻转后重新进行二次开炉才能在整个样品上均形成沉积层，此时方式费事费力费电，大大降低了沉积效率。因此，有必要提供一种新的反应腔以及化学气相沉积装置来解决上述技术问题。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种反应腔及化学气相沉积装置，旨在解决现有技术中不能一次开炉完成整个样品表面沉积的的问题。

为实现上述目的，本发明提出的反应腔，所述反应腔包括腔本体和设置于所述腔本体内的支撑座和支架组件，所述支架组件包括第一支架和第二支架，所述第一支架的第一端和所述第二支架的第一端设置于所述支撑座上，所述第一支架的第二端和所述第二支架的第二端为自由端，且所述第一支架的第二端至所述支撑座的距离大于所述第二支架的第二端至所述支撑座的距离，所述第一支架的第二端用于朝向所述支撑座移动。

优选地，所述第一支架为伸缩支架，所述伸缩支架的第二端在驱动组件的作用下朝所述支撑座移动。

优选地，所述驱动组件包括设置于所述支撑座内的伸缩缸，所述第一支架的第一端与所述伸缩缸的自由端连接。

优选地，所述第一支架为玻璃支架，所述玻璃支架在所述反应腔内的反应温度大于所述玻璃支架的软化温度时反生软化坍塌，以使得所述玻璃支架的第二端朝所述支撑座移动。

优选地，所述玻璃支架的材质包括氧化硅、氧化铝、氧化钠和氧化钙，且氧化硅、氧化铝、氧化钠和氧化钙的重量份数比为(40-60)份：(20-30)份：10份：10份。

优选地，所述支撑座上设置有石墨座，所述石墨座上设置有卡槽，所述第一支架卡设于所述卡槽内，所述第一支架的第二端套设有用于石墨帽。

优选地，所述石墨座包括底座、和与所述底座连接的套座和孔板，所述底座的一端设置有环槽，所述套座的一端设置有与所述环槽适配的环凸，所述孔板设置于所述底座和所述套座之间，所述底座内设置有容纳腔，所述套座内设置有所述卡槽，所述玻璃支架放置在所述孔板上，所述孔板上具有多个通孔。

优选地，所述第一支架和所述第二支架的数量均为多个，且所述第一支架和所述第二支架间隔均布在所述支撑座上。

优选地，所述支撑座包括基座和转台，所述基座与所述腔本体连接，所述转台转动地设置于所述基座上，所述第一支架和所述第二支架设置于所述转台上。

另外，本发明还提供了一种化学气相沉积装置，所述化学气相沉积装置包括如上述所述的反应腔。