[发明专利]发光二极管组件及制造方法在审

专利信息
申请号: 201811167740.9 申请日: 2014-09-28
公开(公告)号: CN109268709A 公开(公告)日: 2019-01-25
发明(设计)人: 郑子淇 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: F21K9/90 分类号: F21K9/90;H01L25/075;H01L21/60
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 载具 发光二极管组件 制造 相分离 置放
【说明书】:

本发明公开一种发光二极管组件及制造方法,其制造方法包含有:提供一第一载具,其上置放有多个LED芯片;提供一第二载具;使第二载具与多个LED芯片相连;以及,使多个LED芯片与第一载具相分离但仍与第二载具相接。

本申请是中国发明专利申请(申请号:201410507456.7,申请日:2014年09月28日,发明名称:发光二极管组件及制造方法)的分案申请。

技术领域

发明涉及发光二极管(light emitting diode;LED)组件的制作方法。

背景技术

目前生活上已经可以看到各式各样LED商品的应用,例如交通号志、机车尾灯、汽车头灯、路灯、电脑指示灯、手电筒、LED背光源等。这些商品除芯片制作工艺外,几乎都必须再经过封装程序。

图1显示传统LED组件的一整个流程。首先提供一蓝宝石基板10。接着,运用外延、薄膜、光刻、蚀刻等半导体制作工艺方法,在蓝宝石基板10上形成多个LED芯片(chip),如同晶片(wafer)12所示。每个LED芯片中可能有一个或是多个LED单元,每个LED单元有一发光层。在发光层中,因电子空穴重结合(recombine)而发光。每个晶片12会先经过晶片允收测试(wafer acceptance test;WAT)再将合格的晶片12则进行切割,以独立出一个个的LED芯片(chip)。LED芯片也泛称LED管芯(die)。每一个LED芯片也会经过检测,依据其光电特性,像是顺向电压(forward voltage)、主波长(dominant wavelength)、发光强度(luminousintensity)等,加以分类。同一类的LED芯片被选取出来后放置于一暂时承载膜,而这个暂时承载膜可以是蓝膜(blue tape)、卷带等具有一可供芯片黏着于上的表面上。图1中的暂时承载膜B1、B2、B3上分别放置三种不同规格的LED芯片。LED封装业者则采购带有LED芯片的暂时承载膜,经过适当的封装,产生LED组件。举例来说,图1中的LED组件14中就有LED芯片16、散热基座18、焊线(bonding wire)20、封装硅胶(silicone)22、以及透镜(lens)24。

然而,将暂时承载膜上的LED芯片一个一个的取下,固着在一LED产品的基座中的制作工艺往往非常耗时。

发明内容

为解决现有技术存在的问题,本发明的实施例公开一种发光二极管组件的制造方法,包含有:提供一第一载具,其上置放有多个LED芯片;提供一第二载具;使第二载具与多个LED芯片相连;以及,使多个LED芯片与第一载具相分离,但仍与第二载具相接。

附图说明

图1为传统LED组件的制作流程的示意图;

图2为本发明一实施例的一种LED组件的制造方法的示意图;

图3为本发明一实施例的一暂时承载膜的示意图;

图4为本发明另一实施例的一透明承载体的示意图;

图5A与图5B为本发明一实施例中黏贴前的透明承载体以及暂时承载膜的示意图;

图6为本发明一实施例中黏贴后的透明承载体以及暂时承载膜的示意图;

图7为本发明一实施例中一暂时承载膜与LED芯片相分离的示意图;

图8为本发明一实施例中切割完成后,具有区域C1的一LED组件的示意图;

图9为本发明一实施例中黏贴前的一透明承载体以及一暂时承载膜的示意图;

图10为本发明一实施例中黏贴起的透明承载体以及一暂时承载膜的示意图;

图11为本发明一实施例中一暂时承载膜与LED芯片相分离的示意图;

图12为本发明一实施例中焊线形成于LED芯片上的示意图。

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