[发明专利]一种硅片腐蚀装置有效
申请号: | 201811167918.X | 申请日: | 2018-10-08 |
公开(公告)号: | CN109142206B | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 庄须叶 | 申请(专利权)人: | 北方电子研究院安徽有限公司 |
主分类号: | G01N17/00 | 分类号: | G01N17/00 |
代理公司: | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人: | 杨晋弘 |
地址: | 233030 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 腐蚀 装置 | ||
本发明提供一种硅片腐蚀装置,其特征在于:它包括水浴箱(1),在水浴箱(1)内设有一对壁板(5),在一对壁板(5)之间跨接有腐蚀槽(2),在腐蚀槽(2)内设有腐蚀液(3),设置硅片腐蚀架(4),硅片腐蚀架包括浸入腐蚀液(3)的下板(4a)和跨设在腐蚀槽(2)上方的上板(4b),在上、下板之间设有一组拉杆(4c),在下板(4a)上设有一组硅片支撑座(4d),在上板(4b)上均布有一组升降装置(4e)。本发明结构简单、使用方便、能确保硅片在腐蚀液中始终保持水平状态。
技术领域:
本发明涉及芯片生产领域,具体地说就是一种硅片腐蚀装置。
背景技术:
在进行硅各向同性腐蚀时,硅片的放置位置对硅片上的半球腔的圆度影响很大,倾斜放置的硅片,因腐蚀液对流不平衡会造成硅片上的半球腔的圆度均匀性差,影响半球腔的质量,进而对硅片整体造成不利的影响。虽然现有技术中也有一些水平度可调的腐蚀装置,但大多体积庞大,制造成本较高,不适合硅各向同性腐蚀中的水平度调节。
发明内容:
本发明就是为了克服现有技术中的不足,提供一种硅片腐蚀装置。
本发明提供以下技术方案:
一种硅片腐蚀装置,其特征在于:它包括水浴箱,在水浴箱内设有一对壁板,在一对壁板之间跨接有腐蚀槽,在腐蚀槽内设有腐蚀液,设置硅片腐蚀架,硅片腐蚀架包括浸入腐蚀液的下板和跨设在腐蚀槽上方的上板,在下板上设有一组拉杆,拉杆的上端与上板连接,在下板上设有一组硅片支撑座,在上板上均布有一组升降装置,在水浴箱下部连通有进水管。
在上述技术方案的基础上,还可以有以下进一步的技术方案:
硅片支撑座外侧的下板上均布有一组销钉,在其中一个销钉上还设有档条。
在壁板下方的水浴箱的箱壁上设有溢水孔。
在腐蚀槽和水浴箱箱底之间的箱壁上设有隔板,在隔板上均有一组通孔。
在所述水浴箱外侧还设有一个体积较大的外箱,在外箱的箱壁下部设有排水口,所述进水管进水端伸出外箱后与水源连通。
上板上设有一组缺口。
所述的升降装置为丝杆或螺钉。
发明优点:
本发明结构简单、使用方便、能确保硅片在腐蚀液中始终保持水平状态。
附图说明:
图1是本发明的整体结构示意图;
图2是图1中硅片腐蚀架的结构示意图。
具体实施方式:
如图1和2所示,一种硅片腐蚀装置,它包括水浴箱1,在水浴箱1两侧箱壁的上部分别设有一个壁板5,所述的壁板5为水平分布且相互对称,两个壁板5设置有一定间距,且所述的壁板5两端均伸出水浴箱1的箱壁。
设置一个腐蚀槽2,在腐蚀槽2上端开口部设有与壁板5形成搭接配合的翻边2a.所述的腐蚀槽2的槽体位于壁板5下方的水浴箱1内,在槽体内装有腐蚀液3。
在壁板5下方的水浴箱1箱壁上均设有一个溢水孔1a。所述溢水孔1a的高度要高于腐蚀液3的液面高度。在腐蚀槽2和水浴箱1箱底之间的箱壁上设有一个水平分布的隔板1b,在隔板1b上均有一组通孔1c。在孔板1b下方的箱壁一侧连通有进水管7。从进水管流入向水浴箱的冷却水通过隔板上通孔的分流,能均匀的包裹在腐蚀槽的槽体外侧对槽体进行均匀的降温。
在所述水浴箱1外侧还设有一个体积较大的外箱6,在外箱6的箱壁下部设有排水口6a,所述进水管7进水端从外箱6的箱壁伸出后与水源连通。所述外箱6与水浴箱1的箱底为一体式结构。
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