[发明专利]存储器架构中的参考单元的自测试和重用方法

权利要求书

1.一种测试磁阻随机存取存储器MRAM存储器中的参考单元的方法，所述MRAM存储器包括多个存储单元和多个参考部，每个参考部包括一个或更多个参考单元，所述方法包括：

(i)根据模式从所述多个参考部中确定若干参考部以形成参考单元集，其中，所述模式限定要选择所述多个参考部中的哪个参考部；

(ii)利用值0对所述参考单元集的子集进行编程，并且利用值1对所述参考单元集的剩余子集进行编程；

(iii)使用所述参考单元集来测试所述MRAM存储器中的所述多个存储单元以确定错误率；

(iv)确定所述错误率是否超过错误阈值；

(V)当确定所述MRAM存储器中的所述多个存储单元的错误率超过所述错误阈值时：

更新所述模式，

通过根据更新的模式从所述多个参考部中选择若干参考部来更新所述参考单元集，以及

重复步骤(ii)-步骤(v)，

当确定所述MRAM存储器中的所述多个存储单元的错误率未超过所述错误阈值时：

将所述参考单元集设置为选择的参考单元，以及

存储参考单元信息，所述参考单元信息指示所述参考单元集中的哪个单元具有值0以及哪个具有值1。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述错误阈值由在所述MRAM存储器中执行的人工智能应用来限定。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述MRAM存储器存储用于执行所述人工智能应用的蜂窝神经网络(CNN)。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，测试所述MRAM存储器中的所述多个存储单元以确定所述错误率包括:

将值1写入到所述多个存储单元，并且将所述多个存储单元中的每一个与所述参考单元集中的参考单元进行比较，以确定第一错误率；

将值0写入到所述多个存储单元，并且将所述多个存储单元中的每一个与所述参考单元集中的参考单元进行比较，以确定第二错误率；以及

通过将所述第一错误率与所述第二错误率相加来确定所述错误率。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述MRAM存储器是自旋转移扭矩(STT)存储器、自旋轨道扭矩(SOT)、正交自旋转移(OST)MRAM、磁电RAM(MeRAM)或其组合。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述参考部是参考列、参考行或包括多行和多列的参考阵列。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述参考单元集的所述子集和所述剩余子集进行编程包括：在所述参考单元集中的每一个中随机存储值0或1，使得所述子集包含所述参考单元集的大约一半。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，更新所述模式包括以下项中的至少一个：

将先前模式移位一个或更多个参考部，使得更新的模式和所述先前模式包含相同数目的参考部；

从所述先前模式中减去一个或更多个参考部；或者

从所述先前模式添加一个或更多个参考部。

9.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(i)-步骤(v)在芯片封装级执行。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，步骤(ii)-步骤(iii)是在所述MRAM存储器的初始化过程期间经由所述MRAM存储器的存储器初始化控制器执行，所述存储器初始化控制器被配置为：

在一个或更多个修整位处接收定时信号；

在一个或更多个修整输入位处接收数据信号；

响应于接收到所述定时信号，将所述数据信号锁存到所述多个存储单元的至少一部分和/或所述多个参考单元的与所述一个或更多个修整输入位对应的一部分。