[发明专利]一种消除Polycide MOS工艺制程中WSix剥落的工艺和版图设计方法

权利要求书

1.一种消除Polycide MOS工艺制程中WSi_x剥落的工艺和版图设计方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)栅氧化炉前清洗，清洗掉硅片表面上的表面颗粒、金属、有机物沾污和自然氧化层；

2)硅片在高温氧化气氛中氧化形成栅氧化层；

3)利用CVD淀积方法在栅氧化层上进行淀积形成无掺杂的多晶硅层；

4)在得到的多晶硅层上进行淀积形成WSi_x层；

5)在得到WSi_x层后，通过N型注入进行多晶掺杂。

2.根据权利要求1所述的消除Polycide MOS工艺制程中WSi_x剥落的工艺和版图设计方法，其特征在于，步骤1)之前包括如下步骤：

在Polycide MOS工艺版图设计时，多晶硅层全部经过N型或P型注入层的覆盖。

3.根据权利要求2所述的消除Polycide MOS工艺制程中WSi_x剥落的工艺和版图设计方法，其特征在于，N型源漏和P型源漏版图互为反版。

4.根据权利要求1所述的消除Polycide MOS工艺制程中WSi_x剥落的工艺和版图设计方法，其特征在于，步骤1)中清洗过程包括如下步骤：

11)将硅片放入体积比为1:1:5的NH₄OH、H₂O₂和H₂O的溶液清洗10分钟；

12)再将硅片放入体积比为1:1:6的HCL、H₂O₂和H₂O的溶液清洗10分钟；

13)最后将硅片放入体积比为100：1的H₂O和HF清洗45秒。

5.根据权利要求1所述的消除Polycide MOS工艺制程中WSi_x剥落的工艺及版图设计方法，其特征在于，步骤2)中硅片的氧化采用干氧氧化法或湿氧氧化法。

6.根据权利要求1所述的消除Polycide MOS工艺制程中WSi_x剥落的工艺和版图设计方法，其特征在于，步骤3)中CVD淀积多晶硅层的硅源由低压炉管高温分解硅烷SiH₄提供。

7.根据权利要求1所述的消除Polycide MOS工艺制程中WSi_x剥落的工艺和版图设计方法，其特征在于，步骤4)包括以下步骤：

41)采用稀释HF去除多晶硅表面存在的氧化层；

42)利用CVD淀积法淀积WSi_x层。

8.根据权利要求1所述的消除Polycide MOS工艺制程中WSi_x剥落的工艺和版图设计方法，其特征在于，步骤4)中包括以下步骤：

43)采用通过RF反溅工艺去除多晶硅表面存在的氧化层；

44)利用PVD淀积法淀积WSi_x层。

9.根据权利要求1所述的消除Polycide MOS工艺制程中WSi_x剥落的工艺和版图设计方法，其特征在于，步骤5)中，注入能量的注入峰值位于多晶硅层的中心偏上。