[发明专利]封装结构及半导体工艺方法

权利要求书

1.一种封装结构，包括：

一金属载板；

一导电粘着层，设置于该金属载板上；

一导电体，设置于该导电粘着层上；

一半导体芯片，设置于该导电粘着层上且与该导电体横向隔开，其中该半导体芯片包括位于该半导体芯片的上表面的一第一端点；以及

一重布线层，设置于该导电体和该半导体芯片上，其中该半导体芯片的该第一端点透过该重布线层、该导电体和该导电粘着层电性连接至该半导体芯片的底面。

2.如权利要求1所述的封装结构，其中该半导体芯片的该第一端点是一源极端点。

3.如权利要求2所述的封装结构，其中该半导体芯片还包括位于该半导体芯片的上表面的一漏极端点和一栅极端点。

4.如权利要求3所述的封装结构，其中该重布线层包含彼此电性隔离的一第一线路、一第二线路、和一第三线路，其中该第一线路、该第二线路、和该第三线路分别电性连接至该源极端点、该漏极端点、和该栅极端点。

5.如权利要求4所述的封装结构，其中当从俯视角度看，该导电体的投影面积完全位于该重布线层的该第一线路的投影面积内。

6.如权利要求1所述的封装结构，还包括：

一绝缘层，设置于该金属载板上且包覆该导电粘着层、该半导体芯片和该导电体，其中该重布线层设置于该绝缘层上。

7.如权利要求6所述的封装结构，其中该绝缘层的上表面与该导电体的上表面共平面。

8.如权利要求1所述的封装结构，其中该导电体的侧壁垂直于该金属载板的主表面。

9.如权利要求1所述的封装结构，其中该半导体芯片是一横向型芯片。

10.如权利要求1所述的封装结构，其中从俯视角度看，该导电体具有长方形轮廓。

11.一种封装结构，包括：

一第一导电粘着层和一第二导电粘着层，该第二导电粘着层与该第一导电粘着层横向隔开；

一第一导电体和一第二导电体，分别设置于该第一导电粘着层和该第二导电粘着层上；

一第一半导体芯片，设置于该第一导电粘着层上，其中该第一半导体芯片包括位于该第一半导体芯片的上表面的一源极端点、一漏极端点、和一栅极端点；

一第二半导体芯片，设置于该第二导电粘着层上，其中该第二半导体芯片包括位于该第二半导体芯片的上表面的一源极端点、一漏极端点、和一栅极端点；以及

一第一重布线层，设置于该第一导电体和该第二导电体、以及该第一半导体芯片和该第二半导体芯片上，

其中该第一半导体芯片的该源极端点透过该第一重布线层、该第一导电体和该第一导电粘着层电性连接至该第一半导体芯片的底面，

其中该第一半导体芯片的该源极端点透过该第一重布线层电性连接至该第二半导体芯片的该漏极端点。

12.如权利要求11所述的封装结构，还包括：

一第一金属载板和一第二金属载板，该第一导电粘着层和该第二导电粘着层分别设置于该第一金属载板和该第二金属载板上，且该第二金属载板与该第一金属载板横向隔开。

13.如权利要求11所述的封装结构，还包括：

一绝缘层，包覆该第一导电粘着层和该第二导电粘着层、该第一导电体和该第二导电体、和该第一半导体芯片和该第二半导体芯片，其中该第一重布线层设置于该绝缘层上。

14.如权利要求11所述的封装结构，其中该第一重布线层包括：

彼此电性隔离的多个线路，其中该多个线路包括：

一第一线路，电性连接至该第一半导体芯片的该源极端点、该第一导电体、和该第二半导体芯片的该漏极端点；以及

一第二线路，电性连接至该第二半导体芯片的该源极端点和该第二导电体。