[发明专利]封装结构及半导体工艺方法

说明书

一种封装结构，包含金属载板、设置于金属载板上的导电粘着层、设置于导电粘着层上的导电体、设置于导电粘着层上且与导电体横向隔开的半导体芯片、以及设置于导电体和半导体芯片上的重布线层。半导体芯片包含位于半导体芯片的上表面的第一端点。半导体芯片的第一端点透过重布线层、导电体和导电粘着层电性连接至半导体芯片的底面。借此，半导体芯片的效能可得到改善。

技术领域

本发明实施例涉及封装结构及其制造方法，特别涉及半导体芯片封装技术。

背景技术

一般而言，复杂电子系统的集成电路(Integrated circuit，IC)的组件具有大量互相连接的集成电路芯片或晶粒。集成电路芯片的尺寸制作的越来越小且电路密度逐渐升高。当集成电路芯片越来越密集，就单位体积的电消耗功率而言，其产生的热也会对应的增加。以现有技术状况的进展来看，充分消散热量的能力常常局限于封装设计上的复杂性、更高的装置操作速度和功耗。

发明内容

本发明的一些实施例提供封装结构，封装结构包含金属载板、设置于金属载板上的导电粘着层、设置于导电粘着层上的导电体、以及设置于导电粘着层上且与导电体横向隔开的半导体芯片。半导体芯片包含位于半导体芯片的上表面的第一端点。封装结构还包含设置于导电体和半导体芯片上的重布线层。半导体芯片的第一端点透过重布线层、导电体和导电粘着层电性连接至半导体芯片的底面。

本发明的一些实施例提供封装结构，封装结构包含第一导电粘着层和第二导电粘着层、分别设置于第一导电粘着层和第二导电粘着层上的第一导电体和第二导电体、以及分别设置于第一导电粘着层和第二导电粘着层上的第一半导体芯片和第二半导体芯片。第二导电粘着层与第一导电粘着层横向隔开。第一半导体芯片包含位于第一半导体芯片的上表面的源极端点、漏极端点、和栅极端点。第二半导体芯片包含位于第二半导体芯片的上表面的源极端点、漏极端点、和栅极端点。封装结构还包含设置于第一和第二导电体、以及第一和第二半导体芯片上的第一重布线层。第一半导体芯片的源极端点透过第一重布线层、第一导电体和第一导电粘着层电性连接至第一半导体芯片的底面。第一半导体芯片的源极端点透过第一重布线层电性连接至第二半导体芯片的漏极端点。

本发明的一些实施例提供封装结构的制造方法，此方法包含透过第一导电粘着层将第一导电体和第一半导体芯片接合至金属载板；透过第二导电粘着层将第二导电体和第二半导体芯片接合至金属载板；在金属载板上形成第一绝缘层，以包覆第一和第二导电体、以及第一和第二半导体芯片；以及在第一绝缘层上形成重布线层。第一导电体与第一半导体芯片横向隔开，且第一半导体芯片包括位于第一半导体芯片的上表面的源极端点、漏极端点、和栅极端点。第二导电体与第二半导体芯片横向隔开，且第二半导体芯片包括位于第二半导体芯片的上表面的源极端点、漏极端点、和栅极端点。第一半导体芯片的源极端点透过重布线层、第一导电体和第一导电粘着层电性连接至第一半导体芯片的底面。第一半导体芯片的源极端点透过重布线层电性连接至第二半导体芯片的漏极端点。

本发明的封装结构可应用于各种不同的封装结构，为让本发明的特征和优点能更明显易懂，下文特举出一些实施例，并配合附图，作详细说明如下。

附图说明

经由以下的详细描述配合附图，可以更加理解本发明实施例的内容。需强调的是，根据产业上的标准惯例，许多部件(feature)并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种部件的尺寸可能被任意地增加或减少。

图1A-图1D是根据本发明的一些实施例，显示形成封装结构于各种中间阶段的剖面示意图。

图2是根据本发明的一些实施例的封装结构的等效电路图。

图3是根据本发明的一些实施例的封装结构的俯视示意图。

图4、图5A和图5B是根据本发明的一些实施例的封装结构的剖面示意图。

附图标记说明：