[发明专利]一种三维存储器件的形成方法及三维存储器件

权利要求书

1.一种三维存储器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

刻蚀三维存储器件的下叠层，以形成N个下通道孔，其中，N大于等于2；

在所述下叠层之上沉积形成上叠层；

根据预设条件在所述N个下通道孔中选择M个下通道孔，所述M个下通道孔位于所述下叠层的任意位置，所述预设条件至少包括所述N个下通道孔中外延结构的生长情况；

对应所述M个下通道孔，对所述上叠层进行刻蚀，以在所述上叠层内形成M个上通道孔，其中，M小于N，所述M个上通道孔与所述N个下通道孔中的M个下通道孔一一对应。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述N个下通道孔的底部采用选择性外延生长SEG，相应形成N个所述外延结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成N个下通道孔之后，所述方法还包括：

沿每一所述下通道孔的侧壁由内至外依次形成第一氧化硅-氮化硅-氧化硅ONO结构；

在形成M个所述上通道孔之后，沿每一所述上通道孔的侧壁由内至外形成第二ONO结构。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述上叠层与所述下叠层均由第一材料层与第二材料层循环堆叠形成。

5.一种三维存储器件，其特征在于，应用权利要求1至4任一项的所述的方法所形成的所述三维存储器件包括：

下叠层；

位于所述下叠层之内的N个下通道孔，其中，N大于等于2；

形成于所述下叠层之上的上叠层；

位于所述上叠层之内的M个上通道孔，其中，M小于N，所述M个上通道孔与所述N个下通道孔中的M个下通道孔一一对应，所述M个下通道孔位于所述下叠层的任意位置。

6.根据权利要求5所述的三维存储器件，其特征在于，所述三维存储器件还包括：

N个外延结构，所述N个外延结构通过选择性外延生长SEG所形成，且所述N个外延结构分别位于所述N个下通道孔的底部。

7.根据权利要求5所述的三维存储器件，其特征在于，所述三维存储器件还包括：

沿每一所述下通道孔的侧壁由内至外依次形成第一氧化硅-氮化硅-氧化硅ONO结构；以及沿每一所述上通道孔的侧壁由内至外所形成的第二ONO结构。

8.根据权利要求5所述的三维存储器件，其特征在于，所述上叠层与所述下叠层均由第一材料层与第二材料层循环堆叠形成。