[发明专利]一种三维存储器件的形成方法及三维存储器件

说明书

本发明实施例公开了一种三维存储器件的形成方法及三维存储器件，其中，所述方法包括：刻蚀三维存储器件的下叠层，以形成N个下通道孔，其中，N大于等于2；在所述下叠层之上沉积形成上叠层；对应所述下通道孔刻蚀所述上叠层，以形成M个上通道孔，其中，M小于N，所述M个上通道孔与所述N个下通道孔中的M个下通道孔一一对应。

技术领域

本发明实施例涉及半导体器件及其制造领域，涉及但不限于一种三维存储器件的形成方法及三维存储器件。

背景技术

为了克服二维存储器件的限制，业界已经研发了具有三维结构的存储器件，通过将存储器单元三维地布置在衬底之上来提高集成密度。

现有的双层三维存储器件，例如双层三维计算机闪存设备(3D NAND)存储器件，其上叠层和下叠层均采用垂直堆叠多层存储单元的方式，实现堆叠式的3D NAND存储器件。如图1所示，为现有的双层3D NAND存储器件，在堆叠式的存储器件的下叠层10和上叠层11分别具有一一对应的多个通道孔 (Channel Hole，CH)，其中，下叠层10中的每个下通道孔101均有一个与之对应的位于上叠层11的上通道孔111。

但是，对于现有的双层三维存储器件，如果下通道孔底部在进行选择性外延生长(Selective Epitaxial Growth，SEG)时没有形成较好的外延结构13，例如，得到厚度较薄的外延结构13，那么，如果再进行上叠层对应位置的上通道孔的加工，则容易带来器件可靠性以及漏电等问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种三维存储器件的形成方法及三维存储器件，能够解决由于下通道孔没有形成较好的外延结构而带来的器件可靠性以及漏电等问题。

本发明实施例的技术方案是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供一种三维存储器件的形成方法，所述方法包括：

刻蚀三维存储器件的下叠层，以形成N个下通道孔，其中，N大于等于2；

在所述下叠层之上沉积形成上叠层；

对应所述下通道孔刻蚀所述上叠层，以形成M个上通道孔，其中，M小于 N，所述M个上通道孔与所述N个下通道孔中的M个下通道孔一一对应。

在其他实施例中，所述对应所述下通道孔刻蚀所述上叠层，以形成M个上通道孔，包括：

根据预设条件在所述N个下通道孔中选择M个下通道孔；

对应所述M个下通道孔，对所述上叠层进行刻蚀，以在所述上叠层上形成所述M个上通道孔，其中，所述M个下通道孔位于所述下叠层的任意位置。

在其他实施例中，所述方法还包括：在所述N个下通道孔的底部采用选择性外延生长SEG，形成N个外延结构。

在其他实施例中，在形成N个下通道孔之后，所述方法还包括：

沿所述N个下通道孔的侧壁由内至外依次形成N个第一氧化硅-氮化硅-氧化硅ONO结构；

在形成M个上通道孔之后，沿所述M个上通道孔的侧壁由内至外形成M 个第二ONO结构。

在其他实施例中，所述上叠层与所述下叠层由第一材料层与第二材料层循环堆叠形成。

第二方面，本发明实施例提供一种三维存储器件，所述三维存储器件包括：

下叠层；

位于所述下叠层之内的N个下通道孔，其中，N大于等于2；

形成于所述下叠层之上的上叠层；

位于所述上叠层之内的M个上通道孔，其中，M小于N，所述M个上通道孔与所述N个下通道孔中的M个下通道孔一一对应。