[发明专利]半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备

权利要求书

1.一种竖直型半导体器件，包括：

多个彼此叠置的竖直型单元器件，各单元器件包括相应的横向延伸的栅堆叠，其中各栅堆叠包括沿第一方向依次设置的主体、连接部和端部，其中连接部连接在主体与端部之间，其中在俯视图中连接部的外周相对于主体和端部的外周收缩，所述主体在第一方向上延伸的侧壁与所述端部在第一方向上延伸的侧壁在第一方向上对准；以及

位于各栅堆叠的端部上与端部相接触的接触部。

2.根据权利要求1所述的竖直型半导体器件，其中，各栅堆叠沿着实质上相同的方向横向延伸，处于下方的单元器件的栅堆叠的端部延伸超出处于上方的单元器件的栅堆叠的端部。

3.根据权利要求2所述的竖直型半导体器件，其中，各栅堆叠的主体具有实质上相同的大小，且连接部具有实质上相同的大小。

4.根据权利要求2所述的竖直型半导体器件，其中，在俯视图中，各栅堆叠的主体和连接部实质上彼此重叠，而处于上方的单元器件的栅堆叠的端部占据处于下方的单元器件的栅堆叠的端部的一部分。

5.根据权利要求1所述的竖直型半导体器件，其中，各单元器件包括依次叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其栅堆叠的主体至少部分地绕沟道层的外周形成，栅堆叠与沟道层实质上共面。

6.根据权利要求5所述的竖直型半导体器件，其中，栅堆叠的上表面与相应沟道层的上表面实质上共面，且栅堆叠的下表面与相应沟道层的下表面实质上共面。

7.根据权利要求5所述的竖直型半导体器件，其中，相邻的两个单元器件之间的源/漏层由这两个单元器件共享。

8.根据权利要求5所述的竖直型半导体器件，其中，各单元器件的第一源/漏层和第二源/漏层具有彼此相反的掺杂类型。

9.根据权利要求8所述的竖直型半导体器件，其中，相邻的单元器件之间的源/漏层形成pn结。

10.根据权利要求9所述的竖直型半导体器件，其中，相邻的单元器件之间的源/漏层形成的pn结被金属和/或金属硅化物短路。

11.根据权利要求5至10中任一项所述的竖直型半导体器件，还包括：

在各源/漏层中和/或各源/漏层的外周表面上形成的金属硅化物层。

12.根据权利要求1所述的竖直型半导体器件，还包括：

在栅堆叠的端部的外周处竖直延伸的至少一个电介质侧墙，其中，在俯视图中，各电介质侧墙仅占据栅堆叠的端部的外周的一部分。

13.根据权利要求12所述的竖直型半导体器件，还包括：

在栅堆叠的主体的外周处竖直延伸的至少一个电介质侧墙，其中，在俯视图中，各电介质侧墙仅占据栅堆叠的主体的外周的一部分。

14.根据权利要求1所述的竖直型半导体器件，其中，各栅堆叠的一部分被替换为不同的导电材料。

15.根据权利要求14所述的竖直型半导体器件，其中，各栅堆叠被替换为不同的导电材料的部分的厚度大于替换前的栅堆叠中栅导体层的厚度。