[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：

浅沟隔离，设于基底内；

第一栅极结构，设于该浅沟隔离上，其中该第一栅极结构包含：

第一水平部，设于该浅沟隔离上；

垂直部，连接该第一水平部并延伸至部分该浅沟隔离内；以及

第二水平部，连接该垂直部；

栅极介电层，设于该第一水平部与该浅沟隔离之间而不设于该第二水平部与该浅沟隔离之间，且该第二水平部与该浅沟隔离之外的该基底直接接触。

2.如权利要求1所述的半导体元件，还包含：

第一间隙壁，设于该第一栅极结构一侧壁以及该浅沟隔离上；以及

第二间隙壁，设于该第一栅极结构另一侧壁以及该第二水平部上。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第二间隙壁下表面低于该第一间隙壁下表面。

4.如权利要求2所述的半导体元件，还包含硬掩模，设于该第一栅极结构上，其中该硬掩模上表面切齐该第一间隙壁以及该第二间隙壁上表面。

5.如权利要求2所述的半导体元件，其中该垂直部直接接触该第二间隙壁。

6.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二水平部上表面低于该浅沟隔离上表面。

7.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二水平部设于部分该浅沟隔离以及部分该基底内。

8.如权利要求1所述的半导体元件，还包含：

第一掺杂区，设于该浅沟隔离一侧；以及

第二掺杂区，设于该浅沟隔离另一侧并接触该第二水平部。

9.如权利要求8所述的半导体元件，还包含：

第二栅极结构，设于该基底上并位于该第一栅极结构旁；以及

第三间隙壁，设于该第二栅极结构一侧，其中该第二掺杂区设于该第二水平部以及该第三间隙壁之间。

10.如权利要求9所述的半导体元件，还包含第三掺杂区，设于该第三间隙壁下方，其中该第三掺杂区浓度低于该第二掺杂区浓度。

11.一种半导体元件，其特征在于，包含：

浅沟隔离，设于基底内；以及

第一栅极结构，设于该浅沟隔离上并延伸至部分该浅沟隔离以及部分该基底内，其中该第一栅极结构包含T形，该第一栅极结构包含：

水平部，设于该浅沟隔离以及部分该基底上；以及

垂直部，延伸至部分该浅沟隔离以及部分该基底内；以及

栅极介电层，设于该水平部与该浅沟隔离之间而不设于该垂直部与该浅沟隔离之间，且该垂直部与该浅沟隔离之外的该基底直接接触。

12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第一栅极结构包含：

水平部，设于该浅沟隔离以及部分该基底上；以及

垂直部，延伸至部分该浅沟隔离以及部分该基底内。

13.如权利要求12所述的半导体元件，还包含：

第一间隙壁，设于该第一栅极结构一侧壁以及该浅沟隔离上；以及

第二间隙壁，设于该第一栅极结构另一侧壁以及该基底上。

14.如权利要求13所述的半导体元件，还包含硬掩模，设于该第一栅极结构上，其中该硬掩模上表面切齐该第一间隙壁以及该第二间隙壁上表面。

15.如权利要求13所述的半导体元件，还包含：

第一掺杂区，设于该浅沟隔离一侧；以及

第二掺杂区，设于该浅沟隔离另一侧并位于该第二间隙壁正下方。