[发明专利]一种N型多晶硅双面电池制备方法

权利要求书

1.一种N型多晶硅双面电池制备方法，其特征在于，包括：

对制绒后的N型硅片进行硼扩散，并去除所述N型硅片背表面所形成的背面P+层，所述N型硅片为通过对多晶硅锭的尾部进行切割得到的多晶硅片；

对去除背面P+层的N型硅片进行背表面扩散吸杂处理，并去除吸杂层；

对去除所述吸杂层的N型硅片的背表面进行磷扩散，以制备BSF；

去除所述N型硅片表面所形成的PSG，在所述N型硅片的正表面和背表面分别制备钝化层，并在所述N型硅片的正表面和背表面分别制备电极，以得到N型多晶硅双面电池。

2.根据权利要求1所述的N型多晶硅双面电池制备方法，其特征在于，所述对去除背面P+层的N型硅片进行背表面扩散吸杂处理，包括：

对去除背面P+层的N型硅片进行背表面磷扩散吸杂处理。

3.根据权利要求1或2所述的N型多晶硅双面电池制备方法，其特征在于，所述去除所述N型硅片背表面所形成的背面P+层，包括：

通过单面刻蚀去除所述N型硅片背表面所形成的背面P+层，并保留所述N型硅片正表面所形成的BSG；

在去除所述N型硅片表面所形成的PSG时，还包括：

去除所述N型硅片正表面所形成的BSG。

4.根据权利要求3所述的N型多晶硅双面电池制备方法，其特征在于，在通过单面刻蚀去除所述N型硅片背表面所形成的背面P+层时，背面P+层的减薄量为0.15-0.25g。

5.根据权利要求3所述的N型多晶硅双面电池制备方法，其特征在于，在去除吸杂层时，所述吸杂层的减薄量为0.2-0.3g。

6.根据权利要求3所述的N型多晶硅双面电池制备方法，其特征在于，通过单面刻蚀去除所述N型硅片背表面所形成的背面P+层，包括：

通过湿法刻蚀去除所述N型硅片背表面所形成的背面P+层。

7.根据权利要求1所述的N型多晶硅双面电池制备方法，其特征在于，去除所述N型硅片表面所形成的PSG，包括：

利用HF去除所述N型硅片表面所形成的PSG。

8.根据权利要求1所述的N型多晶硅双面电池制备方法，其特征在于，在所述N型硅片的正表面和背表面分别制备钝化层，包括：

利用PECVD法在所述N型硅片的正表面和背表面分别制备钝化层。

9.根据权利要求8所述的N型多晶硅双面电池制备方法，其特征在于，所述钝化层具体为氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氧化铝薄膜中的任意一种或任意多种的组合。

10.根据权利要求1所述的N型多晶硅双面电池制备方法，其特征在于，在所述N型硅片的正表面和背表面分别制备电极，包括：

利用丝网印刷法在所述N型硅片的正表面和背表面分别制备电极。