[发明专利]一种N型多晶硅双面电池制备方法

说明书

本发明公开了一种N型多晶硅双面电池制备方法，包括：对制绒后的N型硅片进行硼扩散，并去除N型硅片背表面所形成的背面P+层，N型硅片为通过对多晶硅锭的尾部进行切割得到的多晶硅片；对去除背面P+层的N型硅片进行背表面扩散吸杂处理，并去除吸杂层；对去除吸杂层的N型硅片的背表面进行磷扩散；去除N型硅片表面所形成的PSG，在N型硅片的正表面和背表面分别制备钝化层，并在N型硅片的正表面和背表面分别制备电极。本申请公开的上述技术方案，通过吸杂处理以减少由多晶硅锭的尾部所生产出的N型硅片中的杂质，从而提高了对多晶硅锭尾部的利用率和N型多晶硅双面电池的少子寿命，进而提高了N型多晶硅双面电池的转换效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，更具体地说，涉及一种N型多晶硅双面电池制备方法。

背景技术

N型多晶硅双面电池因具有可双面发电、发电量高等优势而受到业内人员的广泛关注。

在现有技术中，通过铸锭方式生产出多晶硅锭，并利用该硅锭生产出硅片，利用该硅片制备N型多晶硅双面电池，其制备过程具体大致为：通过硼扩散制备P+层，并通过刻蚀等工艺去除背面绕镀形成的浅结及硅片正表面所形成的BSG(Borosilicate Glass，硼硅玻璃)；然后，通过掩膜方式在P+层表面形成SiON_X层，以防止背表面形成N+层时影响正表面P+层的质量；在清洗掉PSG(Phosphosilicate Glass，磷硅玻璃)之后，制备钝化层，并进行丝网印刷。但是，由于硅锭尾部的金属等杂质比较多，则在制备成N型多晶硅双面电池时会导致少子寿命的降低，从而会降低所制备出的N型多晶硅双面电池的开路电路，并降低N型多晶硅双面电池的转换效率。因此，一般不利用硅锭的尾部制备N型多晶硅双面电池。

综上所述，如何提高对多晶硅锭尾部的利用率，并提高利用多晶硅锭尾部所制备出的N型多晶硅双面电池的少子寿命，以提高N型多晶硅双面电池的转换效率，是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是提供一种N型多晶硅双面电池制备方法，以提高对多晶硅锭尾部的利用率，并提高利用多晶硅锭尾部所制备出的N型多晶硅双面电池的转换效率，从而提高N型多晶硅双面电池的转换效率。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种N型多晶硅双面电池制备方法，包括：

对制绒后的N型硅片进行硼扩散，并去除所述N型硅片背表面所形成的背面P+层，所述N型硅片为通过对多晶硅锭的尾部进行切割得到的多晶硅片；

对去除背面P+层的N型硅片进行背表面扩散吸杂处理，并去除吸杂层；

对去除所述吸杂层的N型硅片的背表面进行磷扩散，以制备BSF；

去除所述N型硅片表面所形成的PSG，在所述N型硅片的正表面和背表面分别制备钝化层，并在所述N型硅片的正表面和背表面分别制备电极，以得到N型多晶硅双面电池。

优选的，所述对去除背面P+层的N型硅片进行背表面扩散吸杂处理，包括：

对去除背面P+层的N型硅片进行背表面磷扩散吸杂处理。

优选的，所述去除所述N型硅片背表面所形成的背面P+层，包括：

通过单面刻蚀去除所述N型硅片背表面所形成的背面P+层，并保留所述N型硅片正表面所形成的BSG；

在去除所述N型硅片表面所形成的PSG时，还包括：

去除所述N型硅片正表面所形成的BSG。

优选的，在通过单面刻蚀去除所述N型硅片背表面所形成的背面P+层时，背面P+层的减薄量为0.15-0.25g。

优选的，在去除吸杂层时，所述吸杂层的减薄量为0.2-0.3g。